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IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior

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IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior
  • Nome

IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPT007N06N
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
Infineon_IPT007N06N_DataShe...EN.pdf
modelo:
IPT007N06N
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Corrente contínua do dreno:
300 A
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
375 W
Tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPT007N06N

,

IPT007N06 Infineon Chip

,

Resistência Térmica Superior OptiMOS

Descrição do produto

Infineon Chip IPT007N06N OptiMOSTMPower-Transistor, 60 V Resistência térmica superior


Características
100% testado para avalanche 
Resistência térmica superior 
Canal N 
Qualificado de acordo com JEDEC1)  para aplicações alvo 
Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS 
Sem halogênio de acordo com IEC61249-2-21

Validação do produto
Qualificado de acordo com o Padrão JEDEC

Parâmetros de desempenho chave
IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior

Classificações máximas 
em TA=25°C, a menos que especificado de outra forma
IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior

Características térmicas
IPT007N06N Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS 60 V Resistência térmica superior
Etiquetas: 

mosfet de potência infineon  

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