logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS พลังงานทรานซิสเตอร์ 60 วอท ความต้านทานความร้อนสูงกว่า

IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS พลังงานทรานซิสเตอร์ 60 วอท ความต้านทานความร้อนสูงกว่า

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IPT007N06N
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IPT007N06N
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
300 อ
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
375 ว
แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
60 โวลต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IPT007N06N

,

IPT007N06 ชิป Infineon

,

ความต้านทานความร้อนสูงสุด OptiMOS

รายละเอียดสินค้า

ทรานซิสเตอร์กำลังไฟ Infineon Chip IPT007N06N OptiMOSTMPower, 60 V ความต้านทานความร้อนสูง


คุณสมบัติ
ทดสอบ avalanche 100% 
ความต้านทานความร้อนสูง 
ช่อง N 
ผ่านการรับรองตาม JEDEC1)  สำหรับแอปพลิเคชันเป้าหมาย 
การชุบตะกั่วปราศจากสารตะกั่ว; เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS 
ปราศจากฮาโลเจนตามมาตรฐาน IEC61249-2-21

การตรวจสอบผลิตภัณฑ์
ผ่านการรับรองตามมาตรฐาน JEDEC

พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS พลังงานทรานซิสเตอร์ 60 วอท ความต้านทานความร้อนสูงกว่า

การให้คะแนนสูงสุด 
ที่ TA=25°C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS พลังงานทรานซิสเตอร์ 60 วอท ความต้านทานความร้อนสูงกว่า

ลักษณะทางความร้อน
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS พลังงานทรานซิสเตอร์ 60 วอท ความต้านทานความร้อนสูงกว่า