logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Infineon Çip
Created with Pixso.

IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi

IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi

Marka Adı: c
Model Numarası: IPD100N04S4L-02
Adedi: 2500
Paketleme Detayları: 2500 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
modeli:
IPD100N04S4L-02
Ürün adı:
Ürün adı
Tip:
SMD/SMT
- 40 °C ~ + 175 °C:
- 55 °C ~ + 175 °C
Güç Dağılımı:
150 W
Sürekli Tahliye Akımı:
100A
Yetenek temini:
100000
Vurgulamak:

IPD100N04S4L-02

,

IPD100N04S4L Infineon Çip

,

Mantık Seviyesi OptiMOS-T2

Ürün Açıklaması

Infineon Chip IPD100N04S4L-02 OptiMOS®-T2 Güç Transistörü N-kanal - Geliştirme modu - Mantık Seviyesi


Özellikler
OptiMOSTM - otomotiv uygulamaları için güç MOSFET
N-kanal - Geliştirme modu - Mantık Seviyesi 
AEC Q101 nitelikli 
MSL1, 260°C'ye kadar tepe lehimleme 
175°C çalışma sıcaklığı 
Yeşil Ürün (RoHS uyumlu) 
100% Çığ testli

Ürün Özeti
IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi

Maksimum değerler, şu adreste T j=25 °C, aksi belirtilmedikçe
IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi

Termal özellikler2)
IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi

Elektriksel özellikler, şu adreste T j=25 °C, aksi belirtilmedikçe
IPD100N04S4L-02 Infineon Çip OptiMOS-T2 Güç Transistörü N-kanal Geliştirme modu Mantık Seviyesi