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Détails des produits

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Puce Infineon
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Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique

Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique

Nom De La Marque: c
Numéro De Modèle: Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Nom du produit:
Nom du produit
Taper:
CMS/CMS
- 40 °C ~ + 175 °C:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
150 W
Courant continu de drain:
100 A
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

,

Transistor Infineon IPD100N04S4L

,

Niveau logique OptiMOS-T2

Description du produit

Transistor de puissance OptiMOS®-T2 Infineon Chip IPD100N04S4L-02, canal N - mode d'amélioration - niveau logique


Caractéristiques
OptiMOSTM - MOSFET de puissance pour applications automobiles
Canal N - mode d'amélioration - niveau logique 
Qualifié AEC Q101 
MSL1 jusqu'à 260°C pic de refusion 
Température de fonctionnement de 175°C 
Produit vert (conforme RoHS) 
100% testé en avalanche

Résumé du produit
Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique

Valeurs maximales, à T j=25 °C, sauf indication contraire
Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique

Caractéristiques thermiques2)
Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique

Caractéristiques électriques, à T j=25 °C, sauf indication contraire
Transistor de puissance Infineon IPD100N04S4L-02 OptiMOS-T2 Canal N Mode d'amélioration Niveau logique