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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico

IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico

Nombre De La Marca: c
Número De Modelo: Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.
Nombre del producto:
Nombre del producto
Tipo:
SMD/SMT
- 40 ºC ~ + 175 ºC:
-55°C ~ +175°C
Disipación de energía:
150 W
Corriente continua del dren:
100 A
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.

,

IPD100N04S4L Infineon Chip

,

Nivel Lógico OptiMOS-T2

Descripción del Producto

Infineon Chip IPD100N04S4L-02 OptiMOS®-T2 Transistor de potencia N-channel - Modo de mejora - Nivel lógico


Características
OptiMOSTM - MOSFET de potencia para aplicaciones automotrices
N-channel - Modo de mejora - Nivel lógico 
Calificado AEC Q101 
MSL1 hasta 260°C pico de reflujo 
Temperatura de funcionamiento de 175°C 
Producto verde (conforme a RoHS) 
100% probado en avalancha

Resumen del producto
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico

Máximas clasificaciones, a T j=25 °C, a menos que se especifique lo contrario
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico

Características térmicas2)
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico

Características eléctricas, a T j=25 °C, a menos que se especifique lo contrario
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potencia OptiMOS-T2 Canal N Modo de Mejora Nivel Lógico