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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico

IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico

Marchio: c
Numero di modello: IPD100N04S4L-02
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IPD100N04S4L-02
Nome del prodotto:
Nome del prodotto
Tipo:
SMD/SMT
-40°C~+175°C:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
150 w
Corrente continua dello scolo:
100A
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IPD100N04S4L-02

,

IPD100N04S4L Infineon Chip

,

Livello logico OptiMOS-T2

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPD100N04S4L-02 OptiMOS®-T2 Transistor di potenza N-channel - Modalità di miglioramento - Livello logico


Caratteristiche
OptiMOSTM - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche
N-channel - Modalità di miglioramento - Livello logico 
Qualificato AEC Q101 
MSL1 fino a 260°C picco di riflusso 
Temperatura operativa 175°C 
Prodotto Green (conforme RoHS) 
100% testato in valanga

Riepilogo del prodotto
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico

Valori massimi, a T j=25 °C, se non diversamente specificato
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico

Caratteristiche termiche2)
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico

Caratteristiche elettriche, a T j=25 °C, se non diversamente specificato
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip OptiMOS-T2 Transistor di potenza Canale N Modalità di miglioramento Livello logico