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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨

IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨

브랜드 이름: c
모델 번호: IPD100N04S4L-02
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IPD100N04S4L-02
제품명:
제품명
유형:
SMD/SMT
- 40°C ~ + 175°C:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
150 W.
연속배수 경향:
100A
공급 능력:
100000
강조하다:

IPD100N04S4L-02

,

IPD100N04S4L Infineon 칩

,

로직 레벨 OptiMOS-T2

제품 설명

Infineon Chip IPD100N04S4L-02 OptiMOS®-T2 전력 트랜지스터 N채널 - 엔핸스먼트 모드 - 로직 레벨


기능
OptiMOSTM 자동차 애플리케이션용 전력 MOSFET
N채널 - 엔핸스먼트 모드 - 로직 레벨 
AEC Q101 인증 
MSL1 최대 260°C 피크 리플로우 
175°C 작동 온도 
친환경 제품 (RoHS 준수) 
100% 애벌랜치 테스트 완료

제품 요약
IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨

최대 정격, at T j=25 °C, 달리 명시되지 않은 경우
IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨

열 특성2)
IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨

전기 특성, at T j=25 °C, 달리 명시되지 않은 경우
IPD100N04S4L-02 Infineon 칩 OptiMOS-T2 파워 트랜지스터 N채널 엔하נס먼트 모드 로직 레벨