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Chip Infineon
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IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico

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IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico
  • Nome

IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico

Marca: c
Número do modelo: IPD100N04S4L-02
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
infineon_ipd100n04s4l_02_ds...en.pdf
modelo:
IPD100N04S4L-02
Nome do produto:
Nome do produto
Tipo:
SMD/SMT
- 40 °C ~ + 175 °C:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
150 w
Corrente contínua do dreno:
100A
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPD100N04S4L-02

,

IPD100N04S4L Infineon Chip

,

Nível Lógico OptiMOS-T2

Descrição do produto

Infineon Chip IPD100N04S4L-02 OptiMOS®-T2 Transistor de Potência Canal N - Modo de Aprimoramento - Nível Lógico


Características
OptiMOSTM - MOSFET de potência para aplicações automotivas
Canal N - Modo de Aprimoramento - Nível Lógico 
Qualificado AEC Q101 
MSL1 até 260°C pico de reflow 
175°C temperatura de operação 
Produto Verde (em conformidade com RoHS) 
100% testado em avalanche

Resumo do Produto
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico

Classificações máximas, em T j=25 °C, a menos que especificado de outra forma
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico

Características térmicas2)
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico

Características elétricas, em T j=25 °C, a menos que especificado de outra forma
IPD100N04S4L-02 Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS-T2 Canal N Modo de Melhoria Nível Lógico
Etiquetas: 

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