logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IR2085STRPBF ชิปอินฟินิเออน ใช้ไดรเวอร์ประตูความดันสูงแบบโมโนลิธ

IR2085STRPBF ชิปอินฟินิเออน ใช้ไดรเวอร์ประตูความดันสูงแบบโมโนลิธ

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IR2085STRPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IR2085STRPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 125 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
1 ว
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:
10 โวลต์ - 15 โวลต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IR2085STRPBF

,

IR2085S ชิป Infineon

,

ไดรเวอร์ประตูความดันสูง

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IR2085STRPBF ใช้ไดรเวอร์เกตแบบโมโนลิธคุณภาพสูง 


บทนำ
เอกสารฉบับนี้เน้นหัวข้อที่พบบ่อยที่สุดในการขับเคลื่อนสเตจกำลังแบบครึ่งสะพานในการขับเคลื่อนมอเตอร์
แอปพลิเคชัน (พร้อมไดรเวอร์เกต IC แบบโมโนลิธ) และเพื่อเสนอโซลูชันที่เหมาะสมในการแก้ไขปัญหา
หัวข้อต่างๆ เช่น การปรับขนาดส่วนประกอบพื้นฐานบางอย่าง เช่น วงจรบูตสแตรปและตัวต้านทานเกตเปิด/ปิด และ
องค์ประกอบปรสิตแบบครึ่งสะพานพร้อมผลกระทบของมันจะถูกกล่าวถึง โซลูชันที่เป็นไปได้บางอย่างถูกนำเสนอ และ
สุดท้าย เคล็ดลับการจัดวางบางอย่างจะถูกนำเสนอ
สถานการณ์ทั้งหมดและโซลูชันที่นำเสนอ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น สำหรับ Infineon โมโนลิธทั่วไป
ไดรเวอร์เกตพร้อมแหล่งจ่ายบูตสแตรปแบบลอย

วงจรบูตสแตรป
แหล่งจ่ายบูตสแตรปประกอบด้วยไดโอดและตัวเก็บประจุที่เชื่อมต่อกันดังแสดงในรูปที่ 1
วิธีนี้มีข้อดีคือเรียบง่ายและต้นทุนต่ำ แต่อาจมีข้อจำกัดบางประการเกี่ยวกับรอบการทำงานและ
เวลาเปิด เนื่องจากถูกจำกัดโดยข้อกำหนดในการชาร์จตัวเก็บประจุบูตสแตรปใหม่
การเลือกตัวเก็บประจุที่เหมาะสมสามารถลดข้อจำกัดเหล่านี้ได้อย่างมาก
IR2085STRPBF ชิปอินฟินิเออน ใช้ไดรเวอร์ประตูความดันสูงแบบโมโนลิธ

การปรับขนาดตัวเก็บประจุบูตสแตรป
ในการปรับขนาดตัวเก็บประจุบูตสแตรป ขั้นตอนแรกคือการกำหนดค่าการลดแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำ (ΔVBS) ที่รับประกัน เมื่อ IGBT ด้านสูงเปิดอยู่ หาก VGEmin คือแรงดันไฟฟ้าเกต-อิมิตเตอร์ขั้นต่ำที่ต้องรักษา แรงดันไฟฟ้าที่ลดลงจะต้อง เป็น:
IR2085STRPBF ชิปอินฟินิเออน ใช้ไดรเวอร์ประตูความดันสูงแบบโมโนลิธ
ภายใต้เงื่อนไข:
 IR2085STRPBF ชิปอินฟินิเออน ใช้ไดรเวอร์ประตูความดันสูงแบบโมโนลิธ
ที่นี่ VCC คือแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า IC, VF คือแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของไดโอดบูตสแตรป, VCEon คือแรงดันไฟฟ้าอิมิตเตอร์-คอลเลกเตอร์ของ IGBT ด้านล่าง และ VBSUV-
คือเกณฑ์แรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าปกติของแหล่งจ่ายด้านสูงที่ลดลง