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インフィニオンチップ
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IR2085STRPBF Infineon チップ モノリシック高電圧ゲートドライバ使用

IR2085STRPBF Infineon チップ モノリシック高電圧ゲートドライバ使用

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IR2085STRPBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
モデル:
IR2085STRPBF
製品名:
インフィニオンチップ
動作温度:
-40℃~+125℃
消費電力:
1W
タイプ:
SMD/SMT
電源電圧:
10V~15V
供給の能力:
100000
ハイライト:

IR2085STRPBF

,

IR2085S Infineon チップ

,

高電圧ゲートドライバ

製品説明

Infineon Chip IR2085STRPBF モノリシック高電圧ゲートドライバを使用 


はじめに
このドキュメントでは、モーター駆動におけるハーフブリッジ電源ステージを駆動する最も一般的なトピックをハイライトします。
アプリケーション(モノリシックICゲートドライバ付き)と、問題解決のための適切なソリューションを提案します。
基本的なコンポーネント(ブートストラップ回路やオン/オフゲート抵抗など)のサイジング、および
ハーフブリッジの寄生要素とその影響について説明します。いくつかの可能なソリューションを提案し、
最後に、いくつかのレイアウトのヒントを提示します。
状況と提案されたソリューションはすべて、特に指定がない限り、典型的なInfineonモノリシック
ゲートドライバ(フローティングブートストラップ供給付き)を対象としています。

ブートストラップ回路
ブートストラップ供給は、図1に示すように、ダイオードとコンデンサで構成されています。
この方法はシンプルで低コストという利点がありますが、ブートストラップコンデンサの電荷をリフレッシュする必要性によってデューティサイクルとオンタイムが制限されるため、いくつかの制限が生じる可能性があります。
適切なコンデンサを選択することで、これらの制限を大幅に軽減できます。
ブートストラップコンデンサのサイジング
IR2085STRPBF Infineon チップ モノリシック高電圧ゲートドライバ使用

ブートストラップコンデンサをサイジングするには、まず、ハイサイドIGBTがオンのときに保証される最小電圧降下(ΔV
BS)を確立します。VGEminが維持する必要のある最小ゲートエミッタ電圧である場合、電圧降下は次のようになります。条件:ここで、VCC
IR2085STRPBF Infineon チップ モノリシック高電圧ゲートドライバ使用
はIC電圧供給、V
 IR2085STRPBF Infineon チップ モノリシック高電圧ゲートドライバ使用
Fはブートストラップダイオードの順方向電圧、VCEonはローサイドIGBTのエミッタコレクタ電圧、VBSUV-はハイサイド供給の低電圧ネガティブ方向しきい値です。