تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقاقة انفينيون

IR2085STRPBF Infineon Chip باستخدام مشغلات بوابة عالية الجهد متكاملة

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

IR2085STRPBF Infineon Chip باستخدام مشغلات بوابة عالية الجهد متكاملة

اسم العلامة التجارية:	Infineon Chip
رقم الموديل:	IR2085STRPBF
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

IR2085STRPBF

اسم المنتج:

رقاقة انفينيون

درجة حرارة التشغيل:

- 40 درجة مئوية ~ + 125 درجة مئوية

تبديد الطاقة:

1 واط

يكتب:

سمد/سمت

جهد إمداد الطاقة:

10 فولت - 15 فولت

القدرة على العرض:

100000

إبراز:

IR2085STRPBF

IR2085S Infineon Chip

مشغل بوابة عالي الجهد

وصف المنتج

الشريحة Infineon IR2085STRPBF باستخدام محركات البوابة ذات الجهد العالي

مقدمة

هذه الوثيقة تسلط الضوء على الموضوعات الأكثر شيوعًا في قيادة مرحلة طاقة نصف الجسر في محرك القيادة

التطبيقات (مع مدفع بوابة IC أحادي) واقتراح الحلول المناسبة لحل المشاكل.

مواضيع مثل تحديد حجم بعض المكونات الأساسية، مثل دوائر البوتستراب ومقاومات البوابة التشغيل / الإيقاف، و

يتم مناقشة العناصر الطفيلية النصف الجسر مع آثارها.

وأخيراً، يتم تقديم بعض نصائح التخطيط.

جميع الحالات والحلول المقترحة هي، ما لم يحدد خلاف ذلك، لنظام متكامل نموذجي من Infineon

سائق البوابة مع إمدادات bootstrap العائمة

الدائرة bootstrap

يتم تشكيل إمدادات bootstrap بواسطة ثنائي الصوت ومكثف متصل كما هو مبين في الشكل 1.

هذه الطريقة لديها ميزة كونها بسيطة ومنخفضة التكلفة، ولكن قد تفرض بعض القيود على دورة العمل

في الوقت المناسب لأنها محدودة من قبل متطلبات لتحديث الشحنة في مكثف البوتستراب.

اختيار مكثف مناسب يمكن أن يقلل بشكل كبير من هذه القيود.

تحديد حجم مكثف البوتستراب

لتحديد حجم مكثف الشريط الأول، والخطوة الأولى هي تحديد الحد الأدنى من انخفاض الجهد (ΔVب.س.) الذي يضمنعندما IGBT الجانب العلوي على. إذا V(GEmin)هو الحد الأدنى لجهد مصدر البوابة للحفاظ عليه ، يجب أن ينخفض الجهدتكون:

بشرط:

هنا، فيسي سيهي إمدادات الجهد في وحدة التحكم المركزية، VFهو الجهد الأمامي للديود القيادي، Vاليونانهو فولتاج جهاز التجميعIGBT منخفض الجانب، و V(بي إس يو في)

هو الحد الأدنى السلبي للجهد المنخفض في الطاقة.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

IR2085STRPBF Infineon Chip باستخدام مشغلات بوابة عالية الجهد متكاملة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي