Name: IR2085STRPBF 인피니언 칩 모놀리식 고전압 게이트 드라이버 사용
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IR2085STRPBF
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IR2085STRPBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

문서:

infineon-using-monolithic-h...en.pdf

모델:

IR2085STRPBF

제품명:

인피니언 칩

작동 온도:

- 40°C ~ + 125°C

전력 소비:

1 Ｗ

유형:

SMD/SMT

전원 전압:

10V - 15V

공급 능력:

100000

강조하다:

IR2085STRPBF

IR2085S 인피니언 칩

고전압 게이트 드라이버

제품 설명

Infineon Chip IR2085STRPBF 모놀리식 고전압 게이트 드라이버 사용

소개

이 문서는 모터 드라이브의 하프 브리지 전력 단계를 구동하는 가장 일반적인 주제를 강조하고, 모놀리식 IC 게이트 드라이버를 사용하여 문제를 해결하기 위한 적절한 솔루션을 제안합니다.

부트스트랩 회로 및 온/오프 게이트 저항과 같은 일부 기본 구성 요소의 크기 조정 및

하프 브리지 기생 요소와 그 효과에 대해 논의합니다. 몇 가지 가능한 솔루션이 제안되고

마지막으로 몇 가지 레이아웃 팁이 제시됩니다.

명시되지 않는 한 모든 상황과 제안된 솔루션은 일반적인 Infineon 모놀리식

플로팅 부트스트랩 공급 장치가 있는 게이트 드라이버입니다.

부트스트랩 회로

부트스트랩 공급 장치는 그림 1에 표시된 대로 다이오드와 커패시터로 구성됩니다.

이 방법은 간단하고 저렴하다는 장점이 있지만, 부트스트랩 커패시터의 전하를 새로 고쳐야 하는 요구 사항으로 인해 듀티 사이클 및 온 타임에 일부 제한이 발생할 수 있습니다.

적절한 커패시터를 선택하면 이러한 제한을 크게 줄일 수 있습니다.

부트스트랩 커패시터 크기 조정

부트스트랩 커패시터의 크기를 조정하려면 먼저 최소 전압 강하(ΔV

)를 설정해야 합니다. 이는 하이 사이드 IGBT가 켜져 있을 때 보장됩니다. VGEmin 가 게이트-이미터 최소 전압을 유지해야 하는 경우 전압 강하는 다음과 같아야 합니다.조건 하에서:여기서 VCC 는 IC 전압 공급 장치이고, V

는 부트스트랩 다이오드 순방향 전압이고, VCEon 은 로우 사이드 IGBT의 이미터-컬렉터 전압이고, VBSUV- 는 하이 사이드 공급 장치 저전압 네거티브 방향 임계값입니다.

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