logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IR2085STRPBF Infineon Chip Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik

IR2085STRPBF Infineon Chip Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IR2085STRPBF
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IR2085STRPBF
Nama Produk:
Chip Infineon
Suhu Operasional:
- 40 °C ~ + 125 °C
Pembuangan Daya:
1 W
Jenis:
SMD/SMT
Tegangan catu daya:
10V - 15V
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IR2085STRPBF

,

IR2085S Infineon Chip

,

Pengemudi gerbang tegangan tinggi

Deskripsi Produk

Chip IR2085STRPBF Infineon Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik 


Pendahuluan
Dokumen ini menyoroti subjek yang paling umum menggerakkan tahap daya setengah jembatan dalam penggerak motor
aplikasi (dengan driver gerbang IC monolitik) dan untuk menyarankan solusi yang tepat untuk memecahkan masalah.
Topik seperti penentuan ukuran beberapa komponen dasar, seperti sirkuit bootstrap dan resistor gerbang on/off; dan
elemen parasit setengah jembatan dengan efeknya dibahas. Beberapa solusi yang mungkin diusulkan dan
akhirnya, beberapa tips tata letak disajikan.
Semua situasi dan solusi yang diusulkan, kecuali dinyatakan lain, adalah untuk Infineon monolitik tipikal
driver gerbang dengan catu daya bootstrap mengambang

Sirkuit bootstrap
Catu daya bootstrap dibentuk oleh dioda dan kapasitor yang terhubung seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1.
Metode ini memiliki keuntungan sederhana dan berbiaya rendah, tetapi dapat memberlakukan beberapa batasan pada siklus kerja dan
waktu aktif karena dibatasi oleh persyaratan untuk menyegarkan muatan di kapasitor bootstrap.
Memilih kapasitor yang sesuai dapat secara drastis mengurangi batasan ini.
IR2085STRPBF Infineon Chip Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik

Ukuran kapasitor bootstrap
Untuk mengukur kapasitor bootstrap, langkah pertama adalah menetapkan penurunan tegangan minimum (ΔVBS) yang dijamin ketika IGBT sisi tinggi aktif. Jika VGEmin adalah tegangan emitor gerbang minimum yang harus dijaga, penurunan tegangan harus menjadi:
IR2085STRPBF Infineon Chip Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik
dalam kondisi:
 IR2085STRPBF Infineon Chip Menggunakan driver gerbang tegangan tinggi monolitik
Di sini, VCC adalah catu daya IC, VF adalah tegangan maju dioda bootstrap, VCEon adalah tegangan emitor-kolektor dari IGBT sisi rendah, dan VBSUV- adalah ambang batas negatif tegangan rendah catu daya sisi tinggi.