Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

TLV271QDBVRQ1 TI Чипы TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 СЕМЕЙСТВО операционных усилителей с выходным сигналом RAIL to RAIL 550 мкА/канал 3 МГц

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

TLV271QDBVRQ1 TI Чипы TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 СЕМЕЙСТВО операционных усилителей с выходным сигналом RAIL to RAIL 550 мкА/канал 3 МГц

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	TLV271QDBVRQ1
минимальный заказ:	3000
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

TLV271QDBVRQ1

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Степень скорости:

2.1 В/с

Рабочий ток источника питания:

625 ед.

Инкапсуляция:

Катушка

Поставка способности:

1000000

Выделить:

TLV271QDBVRQ1

TLV271QDBVRQ1 TI Чипы

550 мкА Операционные усилители

Описание продукта

TI Chips TLV271QDBVRQ1 TLV271-Q1, TLV272-Q1, TLV274-Q1 СЕМЕЙСТВО ОУ RAIL-TO-RAIL ВЫХОДА 550 мкА/канал 3 МГц

Квалифицировано для автомобильных применений

Выход Rail-To-Rail

Широкая полоса пропускания . . . 3 МГц

Высокая скорость нарастания . . . 2 .4 В/мкс

Диапазон напряжения питания . . . от 2,7 В до 16 В

Ток питания . . . 550 мкА/канал

Входное напряжение шума . . . 39 нВ/√Гц

Входной ток смещения . . . 1 пА

Указанный диапазон температур

−40Максимальная температура перехода, TC . . . Автомобильный класс

Ультрамалая упаковка

− 5-контактный SOT-23 (TLV271)

Идеальная замена для семейства TLC27x

описание

TLV27x снижает минимальное рабочее напряжение питания до 2,7 В в расширенном автомобильном

диапазоне температур, добавляя при этом функцию выходного качания от рельса до рельса. Это делает его идеальной альтернативой

семейству TLC27x для применений, где необходимы выходные качания от рельса до рельса. TLV27x также обеспечивает полосу пропускания 3 МГц

при токе всего 550 мкА.

Как и TLC27x, TLV27x полностью специфицирован для питания 5 В и ±5 В. Максимальное рекомендуемое напряжение питания Рабочая температура окружающей среды, T±

8 В до Рабочая температура окружающей среды, T1,35 В).

КМОП-входы позволяют использовать их в интерфейсах датчиков с высоким импедансом, а работа при более низком напряжении делает Рабочая температура окружающей среды, TРабота при 2,7 В делает его совместимым с системами с питанием от Li-Ion и с диапазоном рабочего напряжения питания

многих современных микроконтроллеров с низким энергопотреблением, включая MSP430.

предельные максимальные параметры при рабочей температуре окружающей среды (если не указано иное)

†

Напряжение питания, V

DD (см. примечание 1) 16,5 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Дифференциальное входное напряжение, VI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±VDD Рабочая температура окружающей среды, TI (см. примечание 1) от −0,2 В до V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DD10 мА Диапазон входного тока, II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±10 мА Диапазон выходного тока, IРабочая температура окружающей среды, T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±100 мА Непрерывное полное рассеивание мощности См. таблицу рассеивания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Рабочая температура окружающей среды, TA

−40 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

°C до 125

°Максимальная температура перехода, TC

°C Диапазон температуры хранения, TC

°C до 150°Температура вывода 1,6 мм (1/16 дюйма) от корпуса в течение 10 секунд 260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

TLV271QDBVRQ1 TI Чипы TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 СЕМЕЙСТВО операционных усилителей с выходным сигналом RAIL to RAIL 550 мкА/канал 3 МГц

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI