szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chipsy TI

TLV271QDBVRQ1 TI Chips TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 RODZINA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH WYJŚCIOWYCH SZYNOWYCH 550 µA/kanał 3 MHz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

TLV271QDBVRQ1 TI Chips TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 RODZINA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH WYJŚCIOWYCH SZYNOWYCH 550 µA/kanał 3 MHz

Nazwa marki:	TI Chips
Numer modelu:	TLV271QDBVRQ1
MOQ:	3000
Szczegóły opakowania:	3000 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

TLV271QDBVRQ1

Nazwa produktu:

Chipsy TI

SMD/SMT

Szybkość narastania:

2,1 V/nas

Roboczy prąd zasilania:

625 uA

Hermetyzacja:

Rolka

Możliwość Supply:

1000000

Podkreślić:

TLV271QDBVRQ1

TLV271QDBVRQ1 TI Chips

Wzmacniacze operacyjne 550 µA

Opis produktu

TI Chips TLV271QDBVRQ1 TLV271-Q1, TLV272-Q1, TLV274-Q1 RODZINA WZMACNIACZY 550-µA/Ch 3-MHz Z WYJŚCIEM RAIL-TO-RAIL

Kwalifikowane do zastosowań motoryzacyjnych

Wyjście Rail-To-Rail

Szerokie pasmo przenoszenia . . . 3 MHz

Wysoka szybkość narastania . . . 2 .4 V/DDs

Zakres napięcia zasilania . . . 2,7 V do 16 V

Prąd zasilania . . . 550 DDA/kanał

Napięcie szumu wejściowego . . . 39 nV/√Hz

Prąd polaryzacji wejścia . . . 1 pA

Określony zakres temperatury

−40C . . . Klasa motoryzacyjna

Ultrasmall Packaging

− 5-pinowy SOT-23 (TLV271)

Idealny zamiennik dla rodziny TLC27x

opis

TLV27x obniża minimalne napięcie zasilania do 2,7 V w rozszerzonym zakresie temperatur motoryzacyjnych, dodając jednocześnie funkcję huśtawki wyjściowej od szyny do szyny. Czyni to z niego idealną alternatywę dla rodziny TLC27x w zastosowaniach, gdzie niezbędne są huśtawki wyjściowe od szyny do szyny. TLV27x zapewnia również pasmo przenoszenia 3 MHz przy poborze prądu zaledwie 550 µA. Podobnie jak TLC27x, TLV27x jest w pełni określony dla zasilania 5 V i ±5 V. Maksymalne zalecane napięcie zasilania wynosi 16 V, co pozwala na zasilanie urządzeń z różnych akumulatorów (zasilanie ±8 V do ±1,35 V). Wejścia CMOS umożliwiają zastosowanie w interfejsach czujników o wysokiej impedancji, a niższe napięcie zasilania czyni go atrakcyjną alternatywą dla TLC27x w zastosowaniach zasilanych bateryjnie. Zasilanie 2,7 V sprawia, że jest kompatybilny z systemami zasilanymi z baterii litowo-jonowych oraz z zakresem napięcia zasilania wielu mikrokontrolerów o niskim poborze mocy dostępnych obecnie, w tym MSP430.

absolutne maksymalne parametry znamionowe w zakresie temperatury otoczenia (chyba że zaznaczono inaczej)

†

Napięcie zasilania, VDD (patrz uwaga 1) 16,5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Różnicowe napięcie wejściowe, V°. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±°DD

Zakres napięcia wejściowego, V°(patrz uwaga 1) −0,2 V do V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

+ 0,2 V

Zakres prądu wejściowego, I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±

10 mA °O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±100 mA °Zakres temperatury otoczenia podczas pracy, TA

−40 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . JC do 125°C

Maksymalna temperatura złącza, TJ 150 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . °C

Zakres temperatury przechowywania, Tstg −65 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . °C do 150

C Temperatura ołowiu 1,6 mm (1/16 cala) od obudowy przez 10 sekund 260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

TLV271QDBVRQ1 TI Chips TLV271-Q1 TLV272-Q1 TLV274-Q1 RODZINA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH WYJŚCIOWYCH SZYNOWYCH 550 µA/kanał 3 MHz

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI