logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IPD90N06S4L-06
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IPD90N06S4L-06
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
SMD/SMT
Napięcie przebicia dren-źródło:
60 V
Ciągły prąd spustowy:
90 A
Temperatura pracy:
-55°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
79 W
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IPD90N06S4L-06

,

IPD90N06S4L Infineon OptiMOS-T2 MOSFET

,

MOSFET z kwalifikacją AEC Q101

Opis produktu

Infineon Chip IPD90N06S4L-06 OptiMOS®-T2 Power-Tranzystor Samochodowy z kwalifikacją AEC Q101


OptiMOS®-T2 Power-Tranzystor Samochodowy z kwalifikacją AEC Q101


Cechy
• N-kanałowy - tryb wzmocnienia
• Kwalifikacja samochodowa AEC Q101
• MSL1 do 260°C szczytowej temperatury rozpływu
• Temperatura pracy 175°C
• Zielony produkt (zgodny z RoHS)
• 100% testowany lawinowo
• Bardzo niskie RDSon

Podsumowanie produktu
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101
Maksymalne parametry, przy T j =25 °C, o ile nie określono inaczejIPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101
Charakterystyki termiczne
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101
Charakterystyki elektryczne, przy T j =25 °C, o ile nie określono inaczej
 Charakterystyki statyczne
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Kwalifikacja Automotive AEC Q101