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Détails des produits

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Puce Infineon
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IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IPD90N06S4L-06
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
IPD90N06S4L-06
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Tension claque de Drain-source:
60 V
Courant continu de drain:
90 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
79 W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IPD90N06S4L-06

,

IPD90N06S4L Infineon OptiMOS-T2 MOSFET

,

MOSFET qualifié AEC Q101

Description du produit

Transistor de puissance OptiMOS®-T2 pour automobile Infineon Chip IPD90N06S4L-06, qualifié AEC Q101


Transistor de puissance OptiMOS®-T2 pour automobile, qualifié AEC Q101


Caractéristiques
• Canal N - Mode d'amélioration
• Qualifié AEC Q101 pour l'automobile
• MSL1 jusqu'à 260°C pic de refusion
• Température de fonctionnement 175°C
• Produit vert (conforme RoHS)
• 100% testé en avalanche
• R ultra faibleDSon

Résumé du produit
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101
Valeurs maximales, à T j =25 °C, sauf indication contraireIPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101
Caractéristiques thermiques
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101
Caractéristiques électriques, à T j =25 °C, sauf indication contraire
 Caractéristiques statiques
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automobile qualifié AEC Q101