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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IPD90N06S4L-06
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IPD90N06S4L-06
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
60 V
Corrente continua dello scolo:
90 a
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
79 W
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IPD90N06S4L-06

,

IPD90N06S4L Infineon OptiMOS-T2 MOSFET

,

MOSFET qualificato AEC Q101

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPD90N06S4L-06 OptiMOS®-T2 Transistor di potenza Automotive AEC Q101 qualificato


OptiMOS®-T2 Transistor di potenza Automotive AEC Q101 qualificato


Caratteristiche
• N-channel - Modalità di miglioramento
• Automotive AEC Q101 qualificato
• MSL1 fino a 260°C picco di riflusso
• Temperatura operativa 175°C
• Prodotto ecologico (conforme RoHS)
• 100% testato in valanga
• R ultra bassaDSon

Riepilogo del prodotto
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato
Valori massimi, a T j =25 °C, se non diversamente specificatoIPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato
Caratteristiche termiche
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato
Caratteristiche elettriche, a T j =25 °C, se non diversamente specificato
 Caratteristiche statiche
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotive AEC Q101 qualificato