logo
Bom preço  On-line

detalhes dos produtos

Created with Pixso. Casa Created with Pixso. Produtos Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPD90N06S4L-06
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
modelo:
IPD90N06S4L-06
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
Corrente contínua do dreno:
90 a
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
79 W
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPD90N06S4L-06

,

IPD90N06S4L Infineon OptiMOS-T2 MOSFET

,

MOSFET Qualificado AEC Q101

Descrição do produto

Infineon Chip IPD90N06S4L-06 OptiMOS®-T2 Transistor de Potência Automotivo qualificado AEC Q101


OptiMOS®-T2 Transistor de Potência Automotivo qualificado AEC Q101


Características
• Canal N - modo de aprimoramento
• Qualificado para Automotivo AEC Q101
• MSL1 até 260°C pico de reflow
• Temperatura de operação de 175°C
• Produto verde (em conformidade com RoHS)
• 100% testado por avalanche
• R ultra baixoDSon

Resumo do Produto
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101

IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101
Classificações máximas,em Tj=25 °C, a menos que especificado de outra formaIPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101
Características térmicas
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101
Características elétricas,em Tj=25 °C, a menos que especificado de outra forma
 Características estáticas
IPD90N06S4L-06 Infineon OptiMOS-T2 MOSFET Automotivo Qualificado AEC Q101