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BC817K-40HR Nexperia Chips NPN Transistor 45V 100 MHz TO-236AB SOT-23

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BC817K-40HR Nexperia Chips NPN Transistor 45V 100 MHz TO-236AB SOT-23

Markenname:	Nexperia
Modellnummer:	BC817K-40HR
Mindestbestellmenge:	3000 Stück
Verpackungsdetails:	3000 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Modell:

BC817K-40HR

Produktname:

Nexperia

Betriebstemperatur:

-55℃ ~ 175℃

Lagertemperatur:

-65℃ ~ 175℃

200 mA

Ptot:

425 mW

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

BC817K-40HR NPN Transistor

Nexperia Chips NPN Transistor

45V NPN Transistor

Produktbeschreibung

Nexperia-Chips BC817K-40HR NPN 45V TO-236AB 100 MHz SOT-23 (TO-236AB)

Merkmal Parameter

Teilenummer BC817K-40HR

Hersteller Nexperia

Transistortyp NPN

Maximale Kollektor-Emitter-Spannung 45 V (V_{CEO})

Maximaler Kollektorstrom 500 mA (Dauer)

Gleichstromverstärkung (h_{FE}) 250 bis 600 (Typischer Bereich)

Übergangsfrequenz (f_T) 100 MHz

Gehäuse SOT-23 (TO-236AB)

Verpackung 3000 Stück / Gurt und Rolle

Allgemeine Beschreibung

NPN-Allzwecktransistoren in einem kleinen SOT23-Kunststoffgehäuse für oberflächenmontierte Bauteile (SMD)

Gehäuse.

Merkmale und Vorteile

• Drei Stromverstärkungsauswahlen

• Hohe Verlustleistungsfähigkeit

• Hochtemperaturanwendungen bis 175 °C

Anwendungen

• Allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen

Schnellreferenzdaten

Diese Daten liefern wichtige elektrische Spezifikationen für NPN-Bipolartransistoren der BC817K-Serie. Die Kollektor-Emitter-Spannung () hat eine maximale Nennspannung von 45 V unter offenen Basisbedingungen. Der kontinuierliche Kollektorstrom () ist auf maximal 500 mA bei einer Umgebungstemperatur () von 25 °C begrenzt, während der Spitzenkollektorstrom () bei einem einzelnen Puls mit einer Pulsbreite () ≤ 1 ms bei maximal 1 A erreichen kann. Für die Gleichstromverstärkung (), gemessen unter Pulsbedingungen (, Tastverhältnis ) mit , , und , hat die Variante BC817K-16H eine minimale Verstärkung von 100 und eine maximale von 250; die Variante BC817K-25H hat eine minimale Verstärkung von 160 und eine maximale von 400; und die Variante BC817K-40H hat eine minimale Verstärkung von 250 und eine maximale von 600, wobei für keine der Varianten typische Werte angegeben sind. Alle Spannungsangaben sind in Volt (V), Stromangaben in Milliampere (mA) oder Ampere (A) und die Stromverstärkung ist ein dimensionsloser Parameter.

Dieser Abschnitt beschreibt die Pinbelegung für den Transistor der BC817K-Serie im SOT23-Gehäuse. Wie in Tabelle 3 detailliert beschrieben, verfügt das Bauteil über drei Pins, die jeweils eine spezifische Kennung und Funktion haben. Pin 1 ist mit dem Symbol B bezeichnet, was dem Basis-Anschluss des Transistors entspricht. Pin 2 ist mit dem Symbol E gekennzeichnet und repräsentiert den Emitter-Anschluss. Pin 3 trägt das Symbol C und bezeichnet den Kollektor-Anschluss. Die vereinfachte Übersicht bestätigt das physikalische Layout: Pin 1 (Basis) befindet sich unten links, Pin 2 (Emitter) unten rechts und Pin 3 (Kollektor) in der Mitte oben des SOT23-Gehäuseumrisses. Entsprechend der physikalischen Pinbelegung veranschaulicht das grafische Symbol die schematische Darstellung des Transistors mit der Basis (B) links, dem Kollektor (C) oben und dem Emitter (E) unten, was klar der dreipoligen SOT23-Gehäusestruktur zugeordnet ist.

Schlagworte:

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