Độ lợi dòng DC (h_{FE})250 đến 600 (Phạm vi điển hình)
Tần số chuyển tiếp (f_T)100 MHz
VỏSOT-23 (TO-236AB)
Đóng gói3000 chiếc / Cuộn băng
Mô tả chung
Transistor NPN đa dụng trong gói nhựa SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) nhỏ
vỏ.
Tính năng và lợi ích
• Ba lựa chọn độ lợi dòng
• Khả năng tiêu tán công suất cao
• Ứng dụng nhiệt độ cao lên đến 175 °C
Ứng dụng
• Chuyển mạch và khuếch đại đa dụng
Dữ liệu tham khảo nhanh
Dữ liệu này cung cấp các thông số kỹ thuật điện chính cho transistor lưỡng cực NPN dòng BC817K. Điện áp collector-emitter (VCEO) có định mức tối đa là 45 V trong điều kiện cực gốc hở. Dòng collector liên tục (IC) bị giới hạn ở mức tối đa 500 mA ở nhiệt độ môi trường (Tamb) là 25 °C, trong khi dòng collector đỉnh (ICM) có thể đạt tối đa 1 A cho một xung đơn với độ rộng xung (tp) ≤ 1 ms ở Tamb=25°C. Đối với độ lợi dòng DC (hFE), được đo trong điều kiện xung (tp≤300μs, chu kỳ nhiệm vụ δ≤0.02) với VCE=1V, IC=100mA, và Tamb=25°C, biến thể BC817K-16H có độ lợi tối thiểu là 100 và tối đa là 250; biến thể BC817K-25H có độ lợi tối thiểu là 160 và tối đa là 400; và biến thể BC817K-40H có độ lợi tối thiểu là 250 và tối đa là 600, không có giá trị điển hình nào được chỉ định cho bất kỳ biến thể nào. Tất cả các định mức điện áp tính bằng volt (V), định mức dòng điện tính bằng miliampe (mA) hoặc ampe (A), và độ lợi dòng là một tham số không thứ nguyên.
Phần này phác thảo cấu hình chân cho transistor dòng BC817K trong vỏ SOT23. Như chi tiết trong Bảng 3, thiết bị có ba chân, mỗi chân được gán một mã định danh và vai trò chức năng cụ thể. Chân 1 được chỉ định bằng ký hiệu B, tương ứng với cực base của transistor. Chân 2 được dán nhãn bằng ký hiệu E, đại diện cho cực emitter. Chân 3 mang ký hiệu C, ký hiệu cực collector. Lược đồ tổng quan đơn giản hóa xác nhận bố cục vật lý: Chân 1 (Base) được đặt ở dưới cùng bên trái, Chân 2 (Emitter) ở dưới cùng bên phải và Chân 3 (Collector) ở giữa trên cùng của bố cục vỏ SOT23. Tương ứng với sơ đồ chân vật lý, biểu tượng đồ họa minh họa biểu diễn sơ đồ mạch của transistor với cực base (B) ở bên trái, cực collector (C) ở trên cùng và cực emitter (E) ở dưới cùng, ánh xạ rõ ràng vào cấu trúc vỏ SOT23 ba chân.