Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Чипы NeXperia

BC817K-40HR Nexperia Чипы NPN Транзистор 45V 100 МГц TO-236AB SOT-23

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

BC817K-40HR Nexperia Чипы NPN Транзистор 45V 100 МГц TO-236AB SOT-23

Название бренда:	Nexperia
Номер модели:	BC817K-40HR
минимальный заказ:	3000 шт.
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

модель:

BC817K-40HR

Название продукта:

Нексперия

Рабочая температура:

-55℃ ~ 175℃

Температура хранения:

-65℃ ~ 175℃

200 мА

Ptot:

425 мВт

Поставка способности:

100000

Выделить:

BC817K-40HR NPN Транзистор

Nexperia Чипы NPN Транзистор

45V NPN Транзистор

Описание продукта

Чипы Nexperia BC817K-40HR NPN 45V TO-236AB 100 МГц SOT-23 (TO-236AB)

Характеристика Параметр

Номер детали BC817K-40HR

Производитель Nexperia

Тип транзистора NPN

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В (V_{CEO})

Максимальный ток коллектора 500 мА (непрерывный)

Коэффициент усиления по постоянному току (h_{FE}) От 250 до 600 (типичный диапазон)

Частота перехода (f_T) 100 МГц

Корпус SOT-23 (TO-236AB)

Упаковка 3000 шт. / Лента и катушка

Общее описание

NPN транзисторы общего назначения в небольшом пластиковом корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).

Особенности и преимущества

• Три варианта коэффициента усиления по току

• Высокая рассеиваемая мощность

• Применение при высоких температурах до 175 °C

Применение

• Коммутация и усиление общего назначения

Краткие справочные данные

Эти данные предоставляют ключевые электрические характеристики биполярных NPN транзисторов серии BC817K. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (

VITВ этом разделе описана конфигурация выводов транзистора серии BC817K в корпусе SOT23. Как подробно описано в Таблице 3, устройство имеет три вывода, каждому из которых присвоен определенный идентификатор и функциональная роль. Вывод 1 обозначен символом B, соответствующим выводу ItTВ этом разделе описана конфигурация выводов транзистора серии BC817K в корпусе SOT23. Как подробно описано в Таблице 3, устройство имеет три вывода, каждому из которых присвоен определенный идентификатор и функциональная роль. Вывод 1 обозначен символом B, соответствующим выводу базы транзистора. Вывод 2 обозначен символом FEp) при = 1m, вариант BC817K-16H имеет минимальный коэффициент усиления 100 и максимальный 250; вариант BC817K-25H имеет минимальный 160 и максимальный 400; а вариант BC817K-40H имеет минимальный 250 и максимальный 600, без указания типичных значений для каких-либо вариантов. Все номинальные напряжения указаны в вольтах (В), номинальные токи в миллиамперах (мА) или амперах (А), а коэффициент усиления по току является безразмерным параметром.В этом разделе описана конфигурация выводов транзистора серии BC817K в корпусе SOT23. Как подробно описано в Таблице 3, устройство имеет три вывода, каждому из которых присвоен определенный идентификатор и функциональная роль. Вывод 1 обозначен символом B, соответствующим выводу базы транзистора. Вывод 2 обозначен символом , представляющим вывод

эмиттера. Вывод 3 имеет символ C, обозначающий вывод коллектора. Упрощенный вид корпуса подтверждает физическое расположение: вывод 1 (база) расположен внизу слева, вывод 2 (эмиттер) внизу справа, а вывод 3 (коллектор) вверху по центру корпуса SOT23. Соответствуя физическому расположению выводов, графическая схема иллюстрирует схематическое представление транзистора с базой (B) слева, коллектором (C) вверху и эмиттером (E) внизу, четко отображая структуру трехвыводного корпуса SOT23.

Теги:

74HC4051D 653 Nexperia Чипы 8-канальный аналоговый мультиплексор демультиплексор низкое сопротивление во включенном состоянии

Получите самую лучшую цену

74HC165D 653 Nexperia Микросхемы 8-битный параллельный вход последовательный выход сдвиговый регистр CMOS TTL совместимый

Получите самую лучшую цену

74HC4053D 653 Nexperia Чипы Тройной 2-канальный аналоговый MUX DEMUX с низким сопротивлением во включенном состоянии 5 В

Получите самую лучшую цену

74HC125D 653 125 Чипы Nexperia Квад-буферный линейный драйвер 3 состояния Выходы 2,0-6,0 В широкое напряжение

Получите самую лучшую цену

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

BC817K-40HR Nexperia Чипы NPN Транзистор 45V 100 МГц TO-236AB SOT-23

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI