Wzmocnienie prądu stałego (h_{FE})250 do 600 (typ. zakres)
Częstotliwość przejściowa (f_T)100 MHz
ObudowaSOT-23 (TO-236AB)
Pakowanie3000 sztuk / Taśma i krążek
Ogólny opis
Ogólnego przeznaczenia tranzystory NPN w małej obudowie SOT23 do montażu powierzchniowego (SMD) z tworzywa sztucznego
obudowa.
Cechy i zalety
• Trzy wybory wzmocnienia prądu
• Wysoka zdolność rozpraszania mocy
• Zastosowania w wysokich temperaturach do 175 °C
Zastosowania
• Ogólnego przeznaczenia przełączanie i wzmacnianie
Dane szybkiego odniesienia
Niniejsze dane zawierają kluczowe specyfikacje elektryczne dla tranzystorów bipolarnych NPN z serii BC817K. Napięcie kolektor-emiter (VCEO) ma maksymalne znamionowe 45 V przy otwartej bazie. Ciągły prąd kolektora (IC) jest ograniczony do maksymalnie 500 mA w temperaturze otoczenia (Tamb) wynoszącej 25 °C, podczas gdy szczytowy prąd kolektora (ICM) może osiągnąć maksymalnie 1 A dla pojedynczego impulsu o szerokości impulsu (tp) ≤ 1 ms przy Tamb=25°C. Dla wzmocnienia prądu stałego (hFE), mierzonego w warunkach impulsowych (tp≤300μs, współczynnik wypełnienia δ≤0.02) przy VCE=1V, IC=100mA, i Tamb=25°C, wariant BC817K-16H ma minimalne wzmocnienie 100 i maksymalne 250; wariant BC817K-25H ma minimalne 160 i maksymalne 400; a wariant BC817K-40H ma minimalne 250 i maksymalne 600, bez podanych wartości typowych dla żadnego z wariantów. Wszystkie znamionowe napięcia podano w woltach (V), znamionowe prądy w miliamperach (mA) lub amperach (A), a wzmocnienie prądu jest parametrem bezwymiarowym.
Niniejsza sekcja przedstawia konfigurację wyprowadzeń dla tranzystora z serii BC817K w obudowie SOT23. Jak szczegółowo opisano w Tabeli 3, urządzenie posiada trzy wyprowadzenia, każde z przypisanym identyfikatorem i rolą funkcjonalną. Wyprowadzenie 1 jest oznaczone symbolem B, odpowiadającym wyprowadzeniu bazy tranzystora. Wyprowadzenie 2 jest oznaczone symbolem E, reprezentującym wyprowadzenie emitera. Wyprowadzenie 3 nosi symbol C, oznaczający wyprowadzenie kolektora. Uproszczony widok obrysu potwierdza fizyczny układ: Wyprowadzenie 1 (Baza) znajduje się w lewym dolnym rogu, Wyprowadzenie 2 (Emiter) w prawym dolnym rogu, a Wyprowadzenie 3 (Kolektor) w górnej środkowej części obrysu obudowy SOT23. Odpowiadając fizycznemu układowi wyprowadzeń, schemat graficzny ilustruje schematyczne przedstawienie tranzystora z bazą (B) po lewej stronie, kolektorem (C) na górze i emiterem (E) na dole, wyraźnie mapując na trójwyprowadzeniową strukturę obudowy SOT23.