logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
NeXperia Chip
Created with Pixso.

BC817K-40HR Nexperia Chips Tranzystor NPN 45V 100 MHz TO-236AB SOT-23

BC817K-40HR Nexperia Chips Tranzystor NPN 45V 100 MHz TO-236AB SOT-23

Nazwa marki: Nexperia
Numer modelu: BC817K-40HR
MOQ: 3000szt
Szczegóły opakowania: 3000 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
BC817K-40HR
Nazwa produktu:
Nexperia
Temperatura pracy:
-55 ℃ ~ 175 ℃
Temperatura przechowywania:
-65 ℃ ~ 175 ℃
IBM:
200mA
Ptot:
425mW
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

BC817K-40HR Tranzystor NPN

,

Nexperia Chips Tranzystor NPN

,

45V Tranzystor NPN

Opis produktu

Układy Nexperia BC817K-40HR NPN 45V TO-236AB 100 MHz SOT-23 (TO-236AB)

 
Cecha Parametr
Numer części BC817K-40HR
Producent Nexperia
Typ tranzystora NPN
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 45 V (V_{CEO})
Maksymalny prąd kolektora 500 mA (ciągły)
Wzmocnienie prądu stałego (h_{FE}) 250 do 600 (typ. zakres)
Częstotliwość przejściowa (f_T) 100 MHz
Obudowa SOT-23 (TO-236AB)
Pakowanie 3000 sztuk / Taśma i krążek
 
Ogólny opis
Ogólnego przeznaczenia tranzystory NPN w małej obudowie SOT23 do montażu powierzchniowego (SMD) z tworzywa sztucznego
obudowa.
 
Cechy i zalety
• Trzy wybory wzmocnienia prądu
• Wysoka zdolność rozpraszania mocy
• Zastosowania w wysokich temperaturach do 175 °C
 
Zastosowania
• Ogólnego przeznaczenia przełączanie i wzmacnianie
 
Dane szybkiego odniesienia
Niniejsze dane zawierają kluczowe specyfikacje elektryczne dla tranzystorów bipolarnych NPN z serii BC817K. Napięcie kolektor-emiter () ma maksymalne znamionowe 45 V przy otwartej bazie. Ciągły prąd kolektora () jest ograniczony do maksymalnie 500 mA w temperaturze otoczenia () wynoszącej 25 °C, podczas gdy szczytowy prąd kolektora () może osiągnąć maksymalnie 1 A dla pojedynczego impulsu o szerokości impulsu () ≤ 1 ms przy . Dla wzmocnienia prądu stałego (), mierzonego w warunkach impulsowych (, współczynnik wypełnienia ) przy , , i , wariant BC817K-16H ma minimalne wzmocnienie 100 i maksymalne 250; wariant BC817K-25H ma minimalne 160 i maksymalne 400; a wariant BC817K-40H ma minimalne 250 i maksymalne 600, bez podanych wartości typowych dla żadnego z wariantów. Wszystkie znamionowe napięcia podano w woltach (V), znamionowe prądy w miliamperach (mA) lub amperach (A), a wzmocnienie prądu jest parametrem bezwymiarowym.
 
 
Niniejsza sekcja przedstawia konfigurację wyprowadzeń dla tranzystora z serii BC817K w obudowie SOT23. Jak szczegółowo opisano w Tabeli 3, urządzenie posiada trzy wyprowadzenia, każde z przypisanym identyfikatorem i rolą funkcjonalną. Wyprowadzenie 1 jest oznaczone symbolem B, odpowiadającym wyprowadzeniu bazy tranzystora. Wyprowadzenie 2 jest oznaczone symbolem E, reprezentującym wyprowadzenie emitera. Wyprowadzenie 3 nosi symbol C, oznaczający wyprowadzenie kolektora. Uproszczony widok obrysu potwierdza fizyczny układ: Wyprowadzenie 1 (Baza) znajduje się w lewym dolnym rogu, Wyprowadzenie 2 (Emiter) w prawym dolnym rogu, a Wyprowadzenie 3 (Kolektor) w górnej środkowej części obrysu obudowy SOT23. Odpowiadając fizycznemu układowi wyprowadzeń, schemat graficzny ilustruje schematyczne przedstawienie tranzystora z bazą (B) po lewej stronie, kolektorem (C) na górze i emiterem (E) na dole, wyraźnie mapując na trójwyprowadzeniową strukturę obudowy SOT23.
BC817K-40HR Nexperia Chips Tranzystor NPN 45V 100 MHz TO-236AB SOT-23