Chip Infineon IMZA65R027M1H Hành vi chuyển mạch được tối ưu hóa ở dòng điện cao hơn Độ tin cậy của oxit cổng vượt trội
650 V CoolSiC™ được chế tạo dựa trên công nghệ silicon carbide vững chắcđược phát triển tại Infineon trong hơn 20 năm. Tận dụng đặc tính vật liệu băng thông rộng của SiC, MOSFET CoolSiC™ 650V mang đến sự kết hợp độc đáo về hiệu suất, độ tin cậy và dễ sử dụng. Thích hợp cho hoạt động ở nhiệt độ cao và khắc nghiệt, nó cho phép triển khai hiệu quả chi phí và đơn giản hóa hiệu suất hệ thống cao nhất
sự kết hợp độc đáo về hiệu suất, độ tin cậy và dễ sử dụng. Thích hợp cho hoạt động ở nhiệt độ cao và khắc nghiệt, nó cho phép triển khai hiệu quả chi phí và đơn giản hóa hiệu suất hệ thống cao nhất
nhiệt độ cao và khắc nghiệt, nó cho phép triển khai hiệu quả chi phí và đơn giản hóa hiệu suất hệ thống cao nhất
hiệu quả chi phí và đơn giản hóa hiệu suất hệ thống cao nhất
hiệu suất hệ thống cao nhất
Tính năng
Hành vi chuyển mạch được tối ưu hóa ở dòng điện cao hơn
Diode thân nhanh mạnh mẽ với Q thấpfr
Độ tin cậy của oxit cổng vượt trội
Tj,max=175°C và hành vi nhiệt tuyệt vời
R thấp hơnDS(on)và sự phụ thuộc của dòng điện xung vào nhiệt độ
Khả năng tuyết lở tăng lên
Tương thích với các trình điều khiển tiêu chuẩn
Nguồn Kelvin cung cấp tổn thất chuyển mạch thấp hơn tới 4 lầnLợi ích
Sự kết hợp độc đáo giữa hiệu suất cao, độ tin cậy cao và dễ sử dụng
Dễ sử dụng và tích hợp
Thích hợp cho các cấu trúc có chuyển mạch cứng liên tục
Độ mạnh mẽ và độ tin cậy của hệ thống cao hơn
Cải thiện hiệu quả
Giảm kích thước hệ thống dẫn đến mật độ công suất cao hơn
Các ứng dụng tiềm năng
SMPS
UPS (bộ nguồn không gián đoạn)
Biến tần năng lượng mặt trời PV
Cơ sở hạ tầng sạc xe điện
Lưu trữ năng lượng và hình thành pin
Bộ khuếch đại Class D
Xác nhận sản phẩm
Được chứng nhận đầy đủ theo JEDEC cho Ứng dụng Công nghiệp
Lưu ý: Các chân nguồn và nguồn trình điều khiển không thể thay thế cho nhau. Việc thay thế chúng có thể dẫn đến trục trặc.