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제품 세부 정보

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인피니언 칩
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IMZA65R027M1H Infineon 칩 높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작 우수한 게이트 산화막 신뢰성

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IMZA65R027M1H Infineon 칩 높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작 우수한 게이트 산화막 신뢰성
  • 이름

IMZA65R027M1H Infineon 칩 높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작 우수한 게이트 산화막 신뢰성

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IMZA65R027M1H
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
infineon_imza65r027m1h_data...en.pdf
모델:
IMZA65R027M1H
제품명:
인피니언 칩
작동 온도:
- 55°C ~ + 150°C
전력 소비:
189 w
설치 스타일:
구멍을 통해
연속배수 경향:
59A
공급 능력:
100000
강조하다:

IMZA65R027M1H Infineon 칩

,

최적화된 스위칭 MOSFET

,

게이트 산화막 신뢰성 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IMZA65R027M1H 높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작, 우수한 게이트 산화막 신뢰성


650V CoolSiC™는 견고한 실리콘 카바이드 기술을 기반으로 제작되었습니다.Infineon에서 20년 이상 개발되었습니다. 넓은 밴드갭 SiC 재료 특성을 활용하여 650V CoolSiC™ MOSFET는 독특한 성능, 신뢰성 및 사용 편의성의 조합을 제공합니다.
고온 및 열악한 작동에 적합하며, 가장 높은 시스템 효율의 단순화되고 비용 효율적인 배포를 가능하게 합니다.
높은
온도 및 열악한 작동에 적합하며, 가장 높은 시스템 효율의 단순화되고 비용 효율적인 배포를 가능하게 합니다.
효과적인 배포

기능
높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작
낮은 Qrr을 갖춘 스위칭 강건 고속 바디 다이오드fr
우수한 게이트 산화막 신뢰성
Tj,max = 175°C 및 우수한 열 동작낮은 RDS(on) 및 온도에 따른 펄스 전류 의존성
증가된 애벌랜치 내량표준 드라이버와 호환켈빈 소스는 최대 4배 낮은 스위칭 손실을 제공합니다.
이점
높은 성능, 높은 신뢰성 및 사용 편의성의 독특한 조합
사용 및 통합 용이성지속적인 하드 스위칭 토폴로지에 적합

더 높은 강건성 및 시스템 신뢰성
효율성 향상
더 높은 전력 밀도를 위한 시스템 크기 감소
잠재적 응용 분야
SMPS
UPS (무정전 전원 공급 장치)
태양광 PV 인버터

EV 충전 인프라
에너지 저장 및 배터리 형성
클래스 D 앰프
제품 검증
산업용 애플리케이션에 대한 JEDEC 표준에 따라 완전히 인증됨
참고: 소스 및 드라이버 소스 핀은 교체할 수 없습니다. 교체 시 오작동이 발생할 수 있습니다.


IMZA65R027M1H Infineon 칩 높은 전류에서 최적화된 스위칭 동작 우수한 게이트 산화막 신뢰성

태그: 

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