รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

อินฟิเนียนชิป

IMZA65R027M1H Infineon Chip พฤติกรรมการสลับที่ปรับให้เหมาะสมที่กระแสไฟสูงขึ้น ความน่าเชื่อถือของเกตออกไซด์ที่เหนือกว่า

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

IMZA65R027M1H Infineon Chip พฤติกรรมการสลับที่ปรับให้เหมาะสมที่กระแสไฟสูงขึ้น ความน่าเชื่อถือของเกตออกไซด์ที่เหนือกว่า

ชื่อแบรนด์:	Infineon Chip
หมายเลขรุ่น:	IMZA65R027M1H
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

IMZA65R027M1H

ชื่อสินค้า:

อินฟิเนียนชิป

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 55 องศาเซลเซียส ~ + 150 องศาเซลเซียส

การกระจายพลังงาน:

189 W

รูปแบบการติดตั้ง:

ผ่านรู

กระแสเดรนต่อเนื่อง:

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

IMZA65R027M1H Infineon Chip

MOSFET สลับที่ปรับให้เหมาะสม

MOSFET ความน่าเชื่อถือของเกตออกไซด์

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IMZA65R027M1H พฤติกรรมการสลับที่เหมาะสมที่กระแสสูง ความน่าเชื่อถือของออกไซด์เกตที่เหนือกว่า

650 V CoolSiC™ สร้างขึ้นจากเทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ที่แข็งแกร่งพัฒนาขึ้นใน Infineon มากว่า 20 ปี ใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของวัสดุแบนด์แกปที่กว้าง

SiC, 650V CoolSiC™ MOSFET นำเสนอ

การผสมผสานระหว่างประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือ และความง่ายในการใช้งาน เหมาะสำหรับ

อุณหภูมิสูงและการทำงานที่สมบุกสมบัน ช่วยให้การปรับใช้ที่ง่ายและคุ้มค่า

ประสิทธิภาพของระบบสูงสุด

คุณสมบัติ

พฤติกรรมการสลับที่เหมาะสมที่กระแสสูง

ไดโอดในตัวที่ทนทานต่อการสลับอย่างรวดเร็วพร้อม Q ต่ำfr

ความน่าเชื่อถือของออกไซด์เกตที่เหนือกว่า

Tj,max=175°C และพฤติกรรมทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม

R ที่ต่ำกว่าDS(on)และการพึ่งพาอุณหภูมิของกระแสพัลส์

ความสามารถในการเกิด Avalanche ที่เพิ่มขึ้น

เข้ากันได้กับไดรเวอร์มาตรฐาน

แหล่งที่มาของ Kelvin ให้การสลับที่ต่ำกว่าถึง 4 เท่าการสูญเสีย

ประโยชน์

การผสมผสานที่เป็นเอกลักษณ์ของประสิทธิภาพสูง ความน่าเชื่อถือสูง และความง่ายในการใช้งาน

ความง่ายในการใช้งานและการรวมระบบ

เหมาะสำหรับโทโพโลยีที่มีการสลับแบบฮาร์ดอย่างต่อเนื่อง

ความทนทานและความน่าเชื่อถือของระบบที่สูงขึ้น

การปรับปรุงประสิทธิภาพ

ขนาดระบบที่ลดลงนำไปสู่ความหนาแน่นพลังงานที่สูงขึ้น

การใช้งานที่เป็นไปได้

SMPS

UPS (แหล่งจ่ายไฟสำรอง)

อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์ PV

โครงสร้างพื้นฐานการชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า

การจัดเก็บพลังงานและการสร้างแบตเตอรี่

แอมพลิฟายเออร์คลาส D

การตรวจสอบผลิตภัณฑ์

ผ่านการรับรองตาม JEDEC สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

โปรดทราบ: ขาแหล่งที่มาและขาแหล่งที่มาของไดรเวอร์ไม่สามารถแลกเปลี่ยนกันได้

การแลกเปลี่ยนอาจนำไปสู่การทำงานผิดปกติ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

IMZA65R027M1H Infineon Chip พฤติกรรมการสลับที่ปรับให้เหมาะสมที่กระแสไฟสูงขึ้น ความน่าเชื่อถือของเกตออกไซด์ที่เหนือกว่า

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI