شريحة Infineon IMZA65R027M1H سلوك تبديل محسّن عند التيارات الأعلى موثوقية فائقة لأكسيد البوابة
يتم بناء CoolSiC™ بقدرة 650 فولت على تقنية كربيد السيليكون الصلبةتم تطويرها في Infineon على مدار أكثر من 20 عامًا. بالاستفادة من خصائص مادة SiC ذات فجوة النطاق الواسعة، يوفر MOSFET CoolSiC™ بقدرة 650 فولت مزيجًا فريدًا
من الأداء والموثوقية وسهولة الاستخدام. مناسب لـ
درجات الحرارة العالية والعمليات القاسية، فهو يتيح النشر المبسط والفعال من حيث التكلفة لأعلى كفاءة للنظام
فعال لنشر أعلى كفاءة للنظام
الميزات
سلوك تبديل محسّن عند التيارات الأعلى
صمام ثنائي داخلي سريع قوي مع شحنة Q منخفضة
frموثوقية فائقة لأكسيد البوابة
T
j,max=175 درجة مئوية وسلوك حراري ممتازانخفاض R
DS(on)وتبعية تيار النبضة لدرجة الحرارةزيادة قدرة الانهيار
متوافق مع مشغلات قياسية
يوفر مصدر كيلفن ما يصل إلى 4 أضعاف
خسائر تبديل أقلالفوائد
مزيج فريد من الأداء العالي والموثوقية العالية وسهولة الاستخدام
سهولة الاستخدام والتكامل
مناسب للطوبولوجيا مع تبديل صعب مستمر
متانة أعلى وموثوقية نظام أعلى
تحسين الكفاءة
تقليل حجم النظام مما يؤدي إلى كثافة طاقة أعلى
التطبيقات المحتملة
SMPS
UPS (مزودات طاقة غير قابلة للانقطاع)
عاكسات الطاقة الشمسية الكهروضوئية
البنية التحتية لشحن السيارات الكهربائية
تخزين الطاقة وتكوين البطارية
مضخمات الفئة D
التحقق من المنتج
مؤهل بالكامل وفقًا لمعيار JEDEC للتطبيقات الصناعية
يرجى ملاحظة: لا يمكن تبديل دبابيس المصدر والمشغل. قد يؤدي تبديلهما إلى عطل.