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商品の詳細

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インフィニオンチップ
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IMZA65R027M1H Infineon Chip 高電流での最適化されたスイッチング動作 優れたゲート酸化膜信頼性

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IMZA65R027M1H Infineon Chip 高電流での最適化されたスイッチング動作 優れたゲート酸化膜信頼性
  • 名前

IMZA65R027M1H Infineon Chip 高電流での最適化されたスイッチング動作 優れたゲート酸化膜信頼性

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IMZA65R027M1H
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
infineon_imza65r027m1h_data...en.pdf
モデル:
IMZA65R027M1H
製品名:
インフィニオンチップ
動作温度:
-55℃～+150℃
消費電力:
189 w
インストールスタイル:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
59A
供給の能力:
100000
ハイライト:

IMZA65R027M1H Infineon Chip

,

最適化されたスイッチングMOSFET

,

ゲート酸化膜信頼性MOSFET

製品説明

Infineon Chip IMZA65R027M1H 高電流での最適化されたスイッチング動作 優れたゲート酸化膜信頼性


650 V CoolSiC™ は、堅牢な炭化ケイ素技術をベースにしています。Infineon が 20 年以上にわたって開発してきたものです。ワイドバンドギャップ SiC 材料の特性を活かし、650V CoolSiC™ MOSFET は、パフォーマンス、信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせを提供します。
高温および過酷な動作に適しており、最も高いシステム効率の簡素化されたコスト効率の高い展開を可能にします。
パフォーマンス、信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせ。高
温度および過酷な動作に適しており、最も高いシステム効率の簡素化されたコスト効率の高い展開を可能にします。
効率

機能
高電流での最適化されたスイッチング動作
低Qのコミュテーションロバスト高速ボディダイオードfr
優れたゲート酸化膜信頼性
Tj,max =175℃ および優れた熱特性低い R
DS(on) および温度によるパルス電流依存性アバランシェ能力の向上標準ドライバとの互換性
ケルビンソースにより、最大 4 倍の低減されたスイッチング損失を実現
メリット
高性能、高信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせ使いやすさと統合の容易さ

連続ハードコミュテーションを伴うトポロジーに適しています
高い堅牢性とシステム信頼性
効率の向上
システムサイズの縮小による電力密度の向上
潜在的なアプリケーション
SMPS
UPS（無停電電源装置）

太陽光発電インバーター
EV 充電インフラ
エネルギー貯蔵およびバッテリー形成
クラスDアンプ
製品検証
産業用途向けに JEDEC に準拠して完全に認定済み
注意：ソースピンとドライバソースピンは交換できません。交換すると誤動作の原因となる可能性があります。


IMZA65R027M1H Infineon Chip 高電流での最適化されたスイッチング動作 優れたゲート酸化膜信頼性

タグ: 

インフィニオン パワーMOSFET  

チップ インフィニオン  

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