Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

ИНА333АИДГКР TI Чипы ИНА333 Микроэнергия 50μА Зерро-дрейф-рельс к рельсу Усилитель приборов

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

ИНА333АИДГКР TI Чипы ИНА333 Микроэнергия 50μА Зерро-дрейф-рельс к рельсу Усилитель приборов

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	INA333AIDGKR
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

INA333AIDGKR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Полоса пропускания 3 дБ:

150 КГц

Степень скорости:

160 mV/us

Рабочий ток источника питания:

50 uA

Поставка способности:

1000000

Выделить:

INA333AIDGKR

Чипы INA333AIDGKR TI

Усилитель приборов 50μA

Описание продукта

TI Chips INA333AIDGKR INA333 Микромощный (50 мкА), с нулевым дрейфом, инструментальный усилитель с выходом Rail-to-Rail

Особенности
1• Низкое напряжение смещения: 25 мкВ (максимум), G ≥ 100
• Низкий дрейф: 0,1 мкВ/°C, G ≥ 100
• Низкий уровень шума: 50 нВ/√Гц, G ≥ 100
• Высокий Кгср: 100 дБ (минимум), G ≥ 10
• Низкий ток входного смещения: 200 пА (максимум)
• Диапазон питания: от 1,8 В до 5,5 В
• Входное напряжение: (V–) +0,1 В до (V+) –0,1 В
• Выходной диапазон: (V–) +0,05 В до (V+) –0,05 В
• Низкий ток покоя: 50 мкА
• Рабочая температура: –40°C до +125°C
• Входы с РЧ-фильтрацией
• Корпуса VSSOP на 8 выводов и WSON на 8 выводов

Применения
• Мостовые усилители
• ЭКГ-усилители
• Датчики давления
• Медицинское оборудование
• Портативное оборудование
• Весовые платформы
• Усилители термопар
• Усилители датчиков РТД
• Сбор данных

Описание
Устройство INA333 представляет собой прецизионный
инструментальный усилитель с низким энергопотреблением,
отличающийся превосходной точностью.
Универсальная конструкция с 3 операционными усилителями,
малый размер и низкое энергопотребление делают его идеальным для широкого спектра
портативных применений.
Один внешний резистор устанавливает любое усиление от 1 до
1000. INA333 разработан с использованием стандартного отраслевого уравнения усиления: G = 1 + (100 кОм / RG).
Устройство INA333 обеспечивает очень низкое напряжение смещения
(25 мкВ, G ≥ 100), превосходный дрейф напряжения смещения
(0,1 мкВ/°C, G ≥ 100) и высокое подавление синфазного сигнала
(100 дБ при G ≥ 10). Он работает с источниками питания
напряжением до 1,8 В (±0,9 В), а ток покоя
составляет всего 50 мкА, что делает его идеальным для систем с батарейным питанием. Используя методы автокалибровки
для обеспечения превосходной точности в расширенном
диапазоне промышленных температур, устройство INA333 также
обеспечивает исключительно низкую плотность шума (50 нВ/√Гц)
вплоть до постоянного тока.
Устройство INA333 доступно как в корпусе VSSOP на 8 выводов,
так и в корпусе WSON для поверхностного монтажа, и специфицировано

ИНА333АИДГКР TI Чипы ИНА333 Микроэнергия 50μА Зерро-дрейф-рельс к рельсу Усилитель приборов

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

ИНА333АИДГКР TI Чипы ИНА333 Микроэнергия 50μА Зерро-дрейф-рельс к рельсу Усилитель приборов

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI