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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
TI 칩
Created with Pixso.

INA333AIDGKR TI 칩 INA333 마이크로 파워 50μA 제로 드리프트 레일 투 레일 출력 계측 증폭기

INA333AIDGKR TI 칩 INA333 마이크로 파워 50μA 제로 드리프트 레일 투 레일 출력 계측 증폭기

브랜드 이름: TI Chips
모델 번호: INA333AIDGKR
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
모델:
INA333AIDGKR
제품명:
TI 칩
유형:
SMD/SMT
3dB 대역폭:
150 킬로 헤르츠
슬림 속도:
160 mV/us
작동 전원 전류:
50 uA
공급 능력:
1000000
강조하다:

INA333AIDGKR

,

INA333AIDGKR TI 칩

,

50μA 계측 증폭기

제품 설명

TI 칩 INA333AIDGKR INA333 저전력(50μA), 제로 드리프트, 레일투레일 출력 계측 증폭기


특징
1• 낮은 오프셋 전압: 25 μV(최대), G ≥ 100
• 낮은 드리프트: 0.1 μV/°C, G ≥ 100
• 낮은 노이즈: 50 nV/√Hz, G ≥ 100
• 높은 CMRR: 100 dB(최소), G ≥ 10
• 낮은 입력 바이어스 전류: 200 pA(최대)
• 공급 전압 범위: 1.8 V ~ 5.5 V
• 입력 전압: (V–) +0.1 V ~ (V+) –0.1 V
• 출력 범위: (V–) +0.05 V ~ (V+) –0.05 V
• 낮은 대기 전류: 50 μA
• 작동 온도: –40°C ~ +125°C
• RFI 필터링된 입력
• 8핀 VSSOP 및 8핀 WSON 패키지


응용 분야
• 브리지 증폭기
• ECG 증폭기
• 압력 센서
• 의료 계측
• 휴대용 계측
• 체중계
• 열전대 증폭기
• RTD 센서 증폭기
• 데이터 수집


설명
INA333 장치는 저전력, 고정밀
계측 증폭기로 뛰어난 정확도를 제공합니다.
다재다능한 3연산 증폭기 설계, 작은
크기, 저전력으로 다양한
휴대용 응용 분야에 이상적입니다.
단일 외부 저항으로 1부터
1000까지의 모든 이득을 설정할 수 있습니다. INA333은 산업 표준 이득 방정식: G = 1 + (100 kΩ / RG)를 사용하도록 설계되었습니다.
INA333 장치는 매우 낮은 오프셋 전압
(25 μV, G ≥ 100), 뛰어난 오프셋 전압 드리프트
(0.1 μV/°C, G ≥ 100), 높은 공통 모드
제거율(100 dB, G ≥ 10)을 제공합니다. 1.8 V(±0.9 V)의 낮은 전원 공급 장치와
50 μA의 낮은 대기 전류로 배터리 구동 시스템에 이상적입니다. 자동 보정 기술을 사용하여
확장된
산업 온도 범위에서 뛰어난 정밀도를 보장하며, INA333 장치는 DC까지 확장되는
매우 낮은 노이즈 밀도(50 nV/√Hz)도 제공합니다.
INA333 장치는 8핀 VSSOP
및 WSON 표면 실장 패키지로 제공되며 TA = –40°C ~ +125°C 온도 범위에서 사양이 지정됩니다.



INA333AIDGKR TI 칩 INA333 마이크로 파워 50μA 제로 드리프트 레일 투 레일 출력 계측 증폭기


INA333AIDGKR TI 칩 INA333 마이크로 파워 50μA 제로 드리프트 레일 투 레일 출력 계측 증폭기