| Markenname: | TI Chips |
| Modellnummer: | INA333AIDGKR |
| Mindestbestellmenge: | 2500 |
| Verpackungsdetails: | 2500 Stück/Rolle |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
TI-Chips INA333AIDGKR INA333 Mikro-Leistung (50μA), Zerø-Drift, Instrumentationsverstärker von Schiene zu Schiene
Eigenschaften
1• Niedrigversetzte Spannung: 25 μV (maximal), G ≥ 100
• Niedrige Drift: 0,1 μV/°C, G ≥ 100
• Niedriger Lärm: 50 nV/√Hz, G ≥ 100
• Hohe CMRR: 100 dB (Minimum), G ≥ 10
• Niedrig eingehender Biasstrom: 200 pA (maximal)
• Versorgungsbereich: 1,8 V bis 5,5 V
• Eingangsspannung: (V) +0,1 V bis (V+) ¥0,1 V
• Leistungsbereich: (V ∞) +0,05 V bis (V +) ∞0,05 V
• Niedriger Ruhezustand: 50 μA
• Betriebstemperatur: ¥40°C bis +125°C
• RFI-filterte Eingaben
• 8-Pin-VSSOP- und 8-Pin-WSON-Pakete
Anwendungen
• Brückenverstärker
• EKG-Verstärker
• Drucksensoren
• Medizinische Geräte
• Tragbare Geräte
• Wiegen Sie auf einer Waage
• Verstärker mit Thermoelementen
• FTE-Sensorverstärker
• Datenerfassung
Beschreibung
Das INA333-Gerät ist eine leistungsarme, präzise
Instrumentenverstärker mit ausgezeichneter Genauigkeit.
Die vielseitige 3-operative Verstärkerkonstruktion, kleine
Größe und geringe Leistung machen es ideal für eine breite Palette von
mobile Anwendungen
Ein einziger externer Widerstand setzt jede Verstärkung von 1 bis
1000Die INA333 ist so konzipiert, dass eine industriestandardmäßige Verstärkungsgleichung verwendet wird: G = 1 + (100 kΩ / RG).
Das INA333-Gerät liefert eine sehr niedrige Versatzspannung
(25 μV, G ≥ 100), ausgezeichnete Offset-Spannungsverschiebung
(0,1 μV/°C, G ≥ 100) und hohe Common-Mode
Abstoßung (100 dB bei G ≥ 10).
mit einer Leistung von weniger als 1,8 V (± 0,9 V) und in Ruhe
Der Strom beträgt nur 50 μA, was ihn ideal für batteriebetriebene Systeme macht.
Um eine ausgezeichnete Präzision über die erweiterte
Industrie-Temperaturbereich, das INA333-Gerät auch
bietet eine außergewöhnlich geringe Geräuschdichte (50 nV/√Hz)
Das erstreckt sich bis nach DC.
Das INA333-Gerät ist in beiden 8-Pin-VSSOP verfügbar
und WSON-Flächenverbindungen und ist spezifiziert
über den Temperaturbereich TA = 40 °C bis + 125 °C.
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