NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) oberflächenmontierten Bauteil (SMD)
Kunststoffgehäuse.
Merkmale und Vorteile
• Hoher Strom
• Drei Stromverstärkungs-Auswahlen
Anwendungen
• Allzweck-Schalt- und Verstärkungsanwendungen
Diese Tabelle liefert Schnellverweisdaten für die NPN-Transistoren der BC817-Serie. Bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C erreicht die Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) ein Maximum von 45 V bei offener Basis, während der kontinuierliche Kollektorstrom (IC) auf 500 mA begrenzt ist und der Spitzenkollektorstrom (ICM) für Einzelimpulse (≤1 ms) 1 A beträgt. Die Gleichstromverstärkung (hFE) variiert je nach Klasse: BC817 (100–600), BC817-16 (100–250), BC817-25 (160–400) und BC817-40 (250–600), gemessen bei VCE = 1 V, IC = 100 mA unter Impulsbedingungen (tp ≤ 300 µs, Tastverhältnis ≤ 0,02).
Diese Pinbelegungsinformationen beschreiben die 3-Pin-Konfiguration des Transistors der BC817-Serie: Pin 1 ist die Basis (B), Pin 2 ist der Emitter (E) und Pin 3 ist der Kollektor (C). Die vereinfachte Übersicht zeigt das Layout des SOT23-Gehäuses mit Pin 1 unten links, Pin 2 unten rechts und Pin 3 oben in der Mitte, während das grafische Symbol (sym123) die Standard-NPN-Transistor-Schaltungssymbol-Darstellung mit beschrifteten Basis-, Emitter- und Kollektoranschlüssen veranschaulicht.