details van de producten

Huis Producten

NeXperia Chips

BC817-25 215 Nexperia Chips NPN Transistor voor Algemeen Gebruik 45V 500mA 3 Stroomversterkingsselecties

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

BC817-25 215 Nexperia Chips NPN Transistor voor Algemeen Gebruik 45V 500mA 3 Stroomversterkingsselecties

Merknaam:	NeXperia
Modelnummer:	BC817-25,215
MOQ:	2500pcs
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

Productnaam:

Nexperia

model:

BC817-25,215

Type:

SMD/SMT

Configuratie:

Enkel

Werkende temperatur:

- 65 °C~+ 150 °C

Maximale gelijkstroomcollectorstroom:

500mA

Collector-basisspanning VCBO:

Emitter-basisspanning VEBO:

Levering vermogen:

100000

Markeren:

BC817-25 215 NPN Transistor

Nexperia Chips Transistor voor Algemeen Gebruik

500mA NPN Transistor

Productbeschrijving

NeXperia chips BC817-25,215 NPN General-Purpose Transistor 45V 500mA 3 Current Gain Selections

Algemene beschrijving

NPN algemene transistor in een kleine SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)

plastic behuizing.

Kenmerken en voordelen

• Hoge stroom

• Drie stroomversterkingsselecties

Toepassingen

• Algemene schakel- en versterkingstoepassingen

Deze tabel biedt snelle referentiegegevens voor de BC817-serie NPN-transistors. Bij een omgevingstemperatuur van 25 °C bereikt de collector-emitterspanning (V_CEO) een maximum van 45 V met een open basis, terwijl de continue collectorstroom (I_C) beperkt is tot 500 mA, en de piek collectorstroom (I_CM) voor enkele pulsen (≤1 ms) 1 A is. De DC-stroomversterking (h_FE) varieert per graad: BC817 (100–600), BC817-16 (100–250), BC817-25 (160–400) en BC817-40 (250–600), gemeten bij V_CE = 1 V, I_C = 100 mA onder gepulste omstandigheden (t_p ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 0,02).

Deze pininformatie beschrijft de 3-pins configuratie van de BC817-serie transistor: Pin 1 is de basis (B), Pin 2 is de emitter (E) en Pin 3 is de collector (C). De vereenvoudigde omtrek toont de SOT23-behuizingslay-out met pin 1 linksonder, pin 2 rechtsonder en pin 3 bovenaan in het midden, terwijl het grafische symbool (sym123) de standaard NPN-transistorschemarepresentatie illustreert met gelabelde basis-, emitter- en collector-aansluitingen

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

BC817-25 215 Nexperia Chips NPN Transistor voor Algemeen Gebruik 45V 500mA 3 Stroomversterkingsselecties

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips