Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Чипы NeXperia

BC817-25 215 Чипы Nexperia NPN Транзистор общего назначения 45V 500mA 3 Выбор усиления тока

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

BC817-25 215 Чипы Nexperia NPN Транзистор общего назначения 45V 500mA 3 Выбор усиления тока

Название бренда:	NeXperia
Номер модели:	BC817-25,215
минимальный заказ:	2500pcs
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

Нексперия

модель:

BC817-25,215

СМД/СМТ

Конфигурация:

Одинокий

Эксплуатационный температура:

- 65°С~+ 150°С

Максимальный ток коллектора постоянного тока:

500 мА

Напряжение коллектор-база VCBO:

Напряжение эмиттер-база ВЕБО:

Поставка способности:

100000

Выделить:

BC817-25 215 Транзистор NPN

Чипы Nexperia Транзистор общего назначения

Транзистор NPN мощностью 500mA

Описание продукта

Чипы NeXperia BC817-25,215 NPN транзистор общего назначения 45V 500mA 3 выбора коэффициента усиления по току

Общее описание

NPN транзистор общего назначения в малом корпусе SOT23 (TO-236AB) для поверхностного монтажа (SMD)

пластиковый корпус.

Особенности и преимущества

• Высокий ток

• Три варианта коэффициента усиления по току

Применение

• Общего назначения для коммутации и усиления

Эта таблица предоставляет краткие справочные данные для транзисторов NPN серии BC817. При температуре окружающей среды 25 °C напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO) достигает максимума 45 В при разомкнутой базе, в то время как непрерывный ток коллектора (I_C) ограничен 500 мА, а пиковый ток коллектора (I_CM) для одиночных импульсов (≤1 мс) составляет 1 А. Коэффициент усиления по постоянному току (h_FE) варьируется в зависимости от класса: BC817 (100–600), BC817-16 (100–250), BC817-25 (160–400) и BC817-40 (250–600), измеренный при V_CE = 1 В, I_C = 100 мА в импульсном режиме (t_p ≤ 300 µs, рабочий цикл ≤ 0,02).

Эта информация о цоколевке описывает 3-контактную конфигурацию транзистора серии BC817: Контакт 1 - база (B), Контакт 2 - эмиттер (E), а Контакт 3 - коллектор (C). Упрощенная схема показывает компоновку корпуса SOT23 с контактом 1 внизу слева, контактом 2 внизу справа и контактом 3 вверху по центру, в то время как графический символ (sym123) иллюстрирует стандартное схематическое представление NPN транзистора с обозначенными выводами базы, эмиттера и коллектора.

Теги:

74HC4051D 653 Nexperia Чипы 8-канальный аналоговый мультиплексор демультиплексор низкое сопротивление во включенном состоянии

Получите самую лучшую цену

74HC165D 653 Nexperia Микросхемы 8-битный параллельный вход последовательный выход сдвиговый регистр CMOS TTL совместимый

Получите самую лучшую цену

74HC4053D 653 Nexperia Чипы Тройной 2-канальный аналоговый MUX DEMUX с низким сопротивлением во включенном состоянии 5 В

Получите самую лучшую цену

74HC125D 653 125 Чипы Nexperia Квад-буферный линейный драйвер 3 состояния Выходы 2,0-6,0 В широкое напряжение

Получите самую лучшую цену

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

BC817-25 215 Чипы Nexperia NPN Транзистор общего назначения 45V 500mA 3 Выбор усиления тока

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI