logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

TDA21570 อินฟิเนียน เพาเวอร์สเตจ ตัวแปลง DC-DC โปรไฟล์ต่ำความถี่สูง

TDA21570 อินฟิเนียน เพาเวอร์สเตจ ตัวแปลง DC-DC โปรไฟล์ต่ำความถี่สูง

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: TDA21570
ขั้นต่ำ: 5,000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 5000pcs/reel
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
TDA21570
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
แรงดันขาออก:
225 มิลลิโวลต์ถึง 5.5 โวลต์
กระแสไฟขาออก:
70 อ
การสลับความถี่:
1.5 เมกะเฮิรตซ์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

TDA21570 อินฟิเนียน เพาเวอร์สเตจ

,

เพาเวอร์สเตจความถี่สูง

,

ตัวแปลง DC-DC โปรไฟล์ต่ำ

รายละเอียดสินค้า

ชิป Infineon LED ชิป TDA21570 ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง โปรไฟล์ต่ำ


คำอธิบาย
• ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง โปรไฟล์ต่ำ;
• ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าสำหรับ CPU, GPU และอาร์เรย์หน่วยความจำ DDR;
• โทรคมนาคมควบคุมและไม่ควบคุม
TDA21570 integrated power-stage ประกอบด้วย IC gate-driver แบบซิงโครนัสแบบบัคที่มีกระแสควอเซนต์ต่ำ ซึ่ง
บรรจุร่วมกับ MOSFET ควบคุมและซิงโครนัส พร้อมด้วยโครงสร้างไดโอดแบบแอคทีฟที่ให้ Vsd ต่ำ
คล้ายกับช็อตต์กี้ที่มีประจุย้อนกลับน้อยมาก แพ็คเกจได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับเลย์เอาต์ PCB, การถ่ายเทความร้อน
เวลาควบคุมไดรเวอร์/MOSFET และการสั่นของโหนดสวิตช์น้อยที่สุดเมื่อปฏิบัติตามแนวทางการจัดวาง
การรวมกันของเกตไดรเวอร์และ MOSFET ช่วยให้ประสิทธิภาพสูงขึ้นที่แรงดันเอาต์พุตต่ำที่ต้องการโดย
การออกแบบ CPU, GPU และหน่วยความจำ DDR ที่ล้ำสมัย
การตรวจจับ MOSFET ภายในให้ความแม่นยำในการตรวจจับกระแสที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับตัวเหนี่ยวนำที่ใช้ตัวควบคุมที่ดีที่สุดในระดับเดียวกัน
วิธีการตรวจจับ DCR
การป้องกันรวมถึงการรายงานอุณหภูมิ IC และคุณสมบัติการป้องกันอุณหภูมิเกิน (OTP พร้อมการปิดระบบด้วยความร้อน)
การป้องกันกระแสเกินแบบรอบต่อรอบ (OCP), การตรวจจับการลัดวงจรของ MOSFET ควบคุม (HSS - การตรวจจับการลัดวงจรด้านสูง)
การป้องกันแรงดันไฟฟ้าต่ำ VDRV และบูตสแตรป TDA21570 ยังมีคุณสมบัติ "รีเฟรช" บูตสแตรป
ตัวเก็บประจุเพื่อป้องกันไม่ให้ตัวเก็บประจุบูตสแตรปคายประจุเกิน
การทำงานด้วยความถี่สวิตชิ่งสูงถึง 1.5 MHz ช่วยให้การตอบสนองต่อทรานเซียนต์ประสิทธิภาพสูง
ทำให้สามารถย่อขนาดตัวเหนี่ยวนำเอาต์พุต รวมถึงตัวเก็บประจุอินพุตและเอาต์พุต ในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพชั้นนำของอุตสาหกรรม ประสิทธิภาพ

คุณสมบัติ
• ไดรเวอร์ในตัว, ไดโอดแอคทีฟ, MOSFET ควบคุม Q1 และ MOSFET ซิงโครนัส Q2
• การตรวจจับและรายงานกระแส MOSFET บนชิปที่ 5 ไมโครแอมแปร์/แอมแปร์
• ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุต (VIN) 4.25 V ถึง 16 V
• แหล่งจ่ายไฟ VCC และ VDRV 4.25 V ถึง 5.5 V
• ช่วงแรงดันเอาต์พุตตั้งแต่ 0.225 V ถึง 5.5 V ที่ VIN = 12 V
• ความสามารถกระแสเอาต์พุต 70 A
• การทำงานสูงถึง 1.5 MHz
• การรายงานและระบุข้อผิดพลาดที่ได้รับการปรับปรุง
• การปิดระบบแรงดันไฟฟ้าต่ำ VDRV (UVLO)
• การป้องกันแรงดันไฟฟ้าต่ำบูตสแตรป
• เอาต์พุตแอนะล็อก 8mV / °C
• การป้องกันอุณหภูมิเกินและการปิดระบบด้วยความร้อน
• การป้องกันกระแสเกินแบบรอบต่อรอบ (OCP) และแฟล็ก
• การตรวจจับและแฟล็กการลัดวงจรของ MOSFET ควบคุม (HSS)
• การเติมอัตโนมัติบนตัวเก็บประจุบูตสแตรป
• เข้ากันได้กับอินพุต PWM แบบ Tri-state 3.3 V
• รองรับการตอบสนองต่อทรานเซียนต์โหลด Body-Braking™
• โหมด DEEP SLEEP เพื่อประหยัดพลังงานผ่าน EN= ต่ำ (32 ไมโครแอมแปร์โดยทั่วไป)
• แพ็คเกจ PQFN ขนาดเล็ก 5 มม. x 6 มม. x 0.9 มม.
• แพ็คเกจที่เข้ากันได้กับ RoHS แบบไร้สารตะกั่ว