Spannungsregler für CPUs, GPUs und DDR-Speicherarrays;
Telekommunikationsgesteuert und ungesteuert
Die integrierte Leistungsstufe TDA21570 enthält eine Synchrongleichrichter-Gate-Treiber-IC mit geringem Ruhestrom, die
mit Steuer- und Synchrongleichrichter-MOSFETs sowie einer aktiven Diodenstruktur kombiniert ist, die einen niedrigen Vsd-Wert
ähnlich einem Schottky-Bauteil mit sehr geringer Rückgewinnungsladung erzielt. Das Gehäuse ist für Leiterplattenlayout, Wärmeübertragung,
Treiber-/MOSFET-Steuerzeitsteuerung und minimale Schwingungen am Schalternode optimiert, wenn die Layoutrichtlinien befolgt werden.
Die Kombination aus Gate-Treiber und MOSFET ermöglicht eine höhere Effizienz bei niedrigeren Ausgangsspannungen, die von
modernsten CPU-, GPU- und DDR-Speicherdesigns benötigt werden.
Die interne MOSFET-Erfassung erzielt eine überlegene Stromerfassungsgenauigkeit im Vergleich zu den besten Controller-basierten Induktor-
DCR-Erfassungsmethoden.
Der Schutz umfasst die IC-Temperaturmeldung und eine Übertemperaturschutzfunktion (OTP mit thermischer Abschaltung), zyklusweise Überstromschutz (OCP), Erkennung von Kurzschlüssen des Steuer-MOSFETs (HSS - High-Side-Short-Erkennung), VDRV- und Bootstrap-Unterspannungsschutz. Der TDA21570 verfügt außerdem über ein "Auffrischen" des Bootstrap-Kondensators, um eine Überentladung des Bootstrap-Kondensators zu verhindern.
Der Betrieb mit einer Schaltfrequenz von bis zu 1,5 MHz ermöglicht eine leistungsstarke Transientenantwort, die die
Miniaturisierung von Ausgangsinduktivitäten sowie Ein- und Ausgangskondensatoren ermöglicht, während die branchenführende
Effizienz beibehalten wird.
Merkmale
• Integrierter Treiber, aktive Diode, Steuer-MOSFET Q1 und Synchrongleichrichter-MOSFET Q2