Name: TDA21570 Infineon Power Stage Conversores de bajo perfil de CC a CC de alta frecuencia
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: TDA21570
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	TDA21570
Cantidad Mínima De Pedido:	5000
Detalles De Embalaje:	5000pcs/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

infineon_tda21570_datasheet...en.pdf

modelo:

TDA21570

Nombre del producto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Voltaje de salida:

225 mV a 5,5 V

Corriente de salida:

70 A

Frecuencia de conmutación:

1,5 megaciclos

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

TDA21570 Etapa de potencia de Infineon

Etapa de potencia de alta frecuencia

Convertidor CC-CC de bajo perfil

Descripción del Producto

Infineon Chip chip LED TDA21570 Conversores de CC-DC de alta frecuencia y bajo perfil

Descripción

• las condiciones de trabajoconvertidores de alta frecuencia y bajo perfil de CC-CC;

• las condiciones de trabajoReguladores de voltaje para CPU, GPU y matrices de memoria DDR;

• las condiciones de trabajoControl y no control de telecomunicaciones

La etapa de alimentación integrada TDA21570 contiene un circuito integrado sincrónico de conducción de puertas de buck de baja corriente quiescente que está

Co-empaquetado con MOSFETs de control y síncronos junto con una estructura de diodo activo que logra un Vsd bajo

El paquete está optimizado para el diseño del PCB, el calor y el rendimiento.

transferencia, tiempo de control del controlador/MOSFET, y el mínimo ruido de los nodos de interrupción cuando se siguen las pautas de diseño.

El conductor de puerta emparejado y la combinación de MOSFET permite una mayor eficiencia a voltajes de salida más bajos requeridos por

diseños de CPU, GPU y memoria DDR de última generación.

La detección interna MOSFET logra una precisión superior de la sensación de corriente en comparación con el mejor inductor basado en controlador de su clase

Métodos de detección de DCR.

La protección incluye el informe de temperatura del IC y la función de protección contra sobre temperatura (OTP con

cierre), ciclo por ciclo sobre la protección de la corriente (OCP), control de detección de corto MOSFET (HSS - Alto lado corto

El TDA21570 también cuenta con "refrescamiento" del bootstrap.

condensador para evitar que el condensador de arranque se sobrecargue.

El funcionamiento de una frecuencia de conmutación de hasta 1,5 MHz permite una respuesta transitoria de alto rendimiento, lo que permite

miniaturización de los inductores de salida, así como de los condensadores de entrada y salida, manteniendo al mismo tiempo el liderazgo de la industriala eficiencia.

Características

• las condiciones de trabajoEl conductor integrado, el diodo activo, el MOSFET Q1 de control y el MOSFET Q2 síncrono

• las condiciones de trabajoMOSFET en el chip Detección e información de corriente a 5 μA/A.

• las condiciones de trabajoVálvula de voltaje de entrada (VIN) de 4,25 V a 16 V

• las condiciones de trabajoAlimentación VCC y VDRV de 4,25 V a 5,5 V

• las condiciones de trabajoEl rango de voltaje de salida es de 0,225 V a 5,5 V en VIN = 12 V.

• las condiciones de trabajoCapacidad de corriente de salida de 70 A

• las condiciones de trabajoFuncionamiento hasta 1,5 MHz

• las condiciones de trabajoReporte y identificación mejorados de fallas

• las condiciones de trabajoVDRV bajo tensión de bloqueo (UVLO)

• las condiciones de trabajoProtección contra la baja tensión de arranque

• las condiciones de trabajoProducción analógica a temperatura de 8 mV / °C

• las condiciones de trabajoProtección de sobre temperatura y apagado térmico

• las condiciones de trabajoCiclo por ciclo sobre la protección de la corriente (OCP) y la bandera

• las condiciones de trabajoDetección y señalización de cortocircuito (HSS) del MOSFET de control

• las condiciones de trabajoRecarga automática en el condensador de arranque

• las condiciones de trabajoCompatible con la entrada PWM de tres estados de 3,3 V

• las condiciones de trabajoApoyo transitorio de carga de frenado del cuerpoTM

• las condiciones de trabajoModo DEEP SLEEP para ahorrar energía mediante EN= bajo (tipo 32 μA)

• las condiciones de trabajoEnvase pequeño de 5 mm x 6 mm x 0,9 mm PQFN

• las condiciones de trabajoPaquete libre de plomo y conforme a la Directiva RoHS

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

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TDA21570 Infineon Power Stage Conversores de bajo perfil de CC a CC de alta frecuencia

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