logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقاقة انفينيون
Created with Pixso.

TDA21570 إنفينون مرحلة الطاقة محولات DC-DC منخفضة المظهر عالية التردد

TDA21570 إنفينون مرحلة الطاقة محولات DC-DC منخفضة المظهر عالية التردد

اسم العلامة التجارية: Infineon Chip
رقم الموديل: TDA21570
موك: 5000
تفاصيل التغليف: 5000pcs/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
نموذج:
TDA21570
اسم المنتج:
رقاقة انفينيون
يكتب:
سمد/سمت
الجهد الناتج:
225 مللي فولت إلى 5.5 فولت
تيار الإخراج:
70 أ
تبديل التردد:
1.5 ميغا هيرتز
القدرة على العرض:
100000
إبراز:

TDA21570 إنفينون مرحلة الطاقة

,

مرحلة طاقة عالية التردد

,

محول DC-DC منخفض المستوى

وصف المنتج

شريحة LED من Infineon TDA21570 محولات DC-DC عالية التردد ومنخفضة المظهر


وصف
محولات DC-DC عالية التردد ومنخفضة المظهر؛
منظمات الجهد لوحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسومات ومصفوفات ذاكرة DDR؛
اتصالات خاضعة للتحكم وغير خاضعة للتحكم
تتضمن مرحلة الطاقة المتكاملة TDA21570 شريحة تحكم ببوابة متزامنة ذات تيار هادئ منخفض، والتي يتم
تعبئتها مع وحدات MOSFET للتحكم والمتزامنة بالإضافة إلى هيكل صمام نشط يحقق Vsd منخفض
مشابه لشوتكي مع شحنة استرداد عكسي قليلة جدًا. تم تحسين الحزمة لتخطيط لوحة الدوائر المطبوعة، ونقل الحرارة،
وتوقيت التحكم في المشغل/MOSFET، والحد الأدنى من طنين عقدة التبديل عند اتباع إرشادات التخطيط.
يُمكّن مزيج المشغل وMOSFET المقترن من تحقيق كفاءة أعلى عند جهود الخرج المنخفضة المطلوبة من قبل
تصميمات وحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسومات وذاكرة DDR المتطورة.
يحقق استشعار MOSFET الداخلي دقة استشعار تيار فائقة مقارنة بأفضل طرق استشعار مقاومة المحث (DCR) المستندة إلى المتحكم.
تشمل الحماية الإبلاغ عن درجة حرارة الشريحة وميزة الحماية من الحرارة الزائدة (OTP مع إيقاف حراري)، والحماية من التيار الزائد دورة بدورة (OCP)، واكتشاف قصر MOSFET التحكم (HSS - اكتشاف قصر الجانب العلوي)، والحماية من الجهد المنخفض لـ VDRV وbootstrap. يتميز TDA21570 أيضًا بـ "تحديث" مكثف bootstrap لمنع مكثف bootstrap من التفريغ الزائد.
يتيح التشغيل بتردد تبديل يصل إلى 1.5 ميجاهرتز استجابة عابرة عالية الأداء، مما يسمح
بتصغير المحثات الخارجية، وكذلك المكثفات الداخلية والخارجية مع الحفاظ على ريادة الصناعة
الكفاءة.
الميزات
•
مشغل مدمج، صمام نشط، MOSFET تحكم Q1 و MOSFET متزامن Q2 •

استشعار تيار MOSFET على الشريحة والإبلاغ عنه عند 5 ميكرو أمبير/أمبير.
نطاق جهد الدخل (VIN) من 4.25 فولت إلى 16 فولت
إمداد VCC و VDRV من 4.25 فولت إلى 5.5 فولت
نطاق جهد الخرج من 0.225 فولت حتى 5.5 فولت عند VIN = 12 فولت
قدرة تيار الخرج 70 أمبير
العمل حتى 1.5 ميجاهرتز
إبلاغ محسّن عن الأعطال وتحديدها
قفل الجهد المنخفض لـ VDRV (UVLO)
حماية الجهد المنخفض لـ bootstrap
خرج تناظري لدرجة الحرارة 8 مللي فولت / درجة مئوية
الحماية من الحرارة الزائدة والإيقاف الحراري
الحماية من التيار الزائد دورة بدورة (OCP) وعلامة
اكتشاف قصر MOSFET التحكم (HSS) وعلامة
تجديد تلقائي لمكثف bootstrap
متوافق مع إدخال PWM ثلاثي الحالة 3.3 فولت
دعم استجابة الحمل العابرة Body-Braking™
وضع DEEP SLEEP لتوفير الطاقة عبر EN = منخفض (32 ميكرو أمبير نموذجي)
حزمة PQFN صغيرة 5 مم × 6 مم × 0.9 مم
حزمة خالية من الرصاص متوافقة مع RoHS