|
| ชื่อแบรนด์: | TI Chips |
| หมายเลขรุ่น: | LM5101AMX/NOPB |
| ขั้นต่ำ: | 2500 |
| รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: | 2500 ชิ้น/รีล |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
TI Chips LM5101AMX/NOPB LM5100A/B/C, LM5101A/B/C 3-A, 2-A และ 1-A ไดรเวอร์เกตแรงดันสูง ด้านบนและด้านล่าง
คุณสมบัติ
ขับเคลื่อน MOSFET ชนิด N ทั้งด้านบนและด้านล่าง
อินพุตตรรกะของไดรเวอร์ด้านบนและด้านล่างแยกจากกัน
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย Bootstrap สูงสุด 118 V DC
เวลาหน่วงการแพร่กระจายเร็ว (ปกติ 25-ns)
ขับเคลื่อนโหลด 1000-pF ด้วยเวลาขึ้นและลง 8-ns
การจับคู่ความล่าช้าในการแพร่กระจายที่ยอดเยี่ยม (ปกติ 3-ns)
การล็อคแรงดันไฟฟ้าต่ำเกินไปของรางจ่าย
การใช้พลังงานต่ำ
เข้ากันได้กับพิน HIP2100/HIP2101
การใช้งาน
ตัวแปลง Push-Pull ที่ป้อนกระแส
ตัวแปลง Half และ Full Bridge
ตัวแปลง Buck แบบ Synchronous
ตัวแปลง Forward แบบสองสวิตช์
ตัวแปลง Forward พร้อม Active Clamp
คำอธิบาย
LM5100A/B/C และ LM5101A/B/C เป็นไดรเวอร์เกตแรงดันสูงที่ออกแบบมาเพื่อขับเคลื่อน MOSFET ชนิด N ทั้งด้านบนและด้านล่างในคอนฟิกูเรชัน synchronous buck หรือ half-bridge ไดรเวอร์ด้านบนแบบลอยสามารถทำงานด้วยแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายได้สูงสุด 100 V เวอร์ชัน A ให้การขับเกตเต็ม 3 A ในขณะที่เวอร์ชัน B และ C ให้ 2 A และ 1 A ตามลำดับ เอาต์พุตถูกควบคุมแยกกันด้วยเกณฑ์อินพุต CMOS (LM5100A/B/C) หรือเกณฑ์อินพุต TTL (LM5101A/B/C)
มีไดโอดแรงดันสูงในตัวเพื่อชาร์จตัวเก็บประจุ bootstrap ของไดรเวอร์เกตด้านบน ตัวแปลงระดับที่แข็งแกร่งทำงานด้วยความเร็วสูงในขณะที่ใช้พลังงานต่ำและให้การเปลี่ยนระดับที่ชัดเจนจากตรรกะควบคุมไปยังไดรเวอร์เกตด้านบน การล็อคแรงดันไฟฟ้าต่ำเกินไปมีให้สำหรับทั้งรางจ่ายด้านล่างและด้านบน อุปกรณ์เหล่านี้มีจำหน่ายในแพ็คเกจ SOIC-8 มาตรฐาน, SO PowerPAD-8 และ WSON-10 LM5100C และ LM5101C มีจำหน่ายในแพ็คเกจ MSOP-PowerPAD-8 ด้วย LM5101A มีจำหน่ายในแพ็คเกจ WSON-8 ด้วย
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia