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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
TI 칩
Created with Pixso.

LM5101AMX/NOPB TI 칩 LM5100A/B/C LM5101A/B/C 3-A 2-A 및 1-A 고전압 하이사이드 및 로우사이드 게이트 드라이버

LM5101AMX/NOPB TI 칩 LM5100A/B/C LM5101A/B/C 3-A 2-A 및 1-A 고전압 하이사이드 및 로우사이드 게이트 드라이버

브랜드 이름: TI Chips
모델 번호: LM5101AMX/NOPB
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
모델:
LM5101AMX/NOPB
제품명:
TI 칩
유형:
SMD/SMT
출력 전류:
3 a
캡슐화:
릴
작동 전원 전류:
2mA
공급 능력:
1000000
강조하다:

LM5101AMX/NOPB

,

LM5101 TI 칩

,

3A 사이드 게이트 드라이버

제품 설명

TI 칩 LM5101AMX/NOPB LM5100A/B/C, LM5101A/B/C 3-A, 2-A 및 1-A 고전압, 하이사이드 및 로우사이드 게이트 드라이버


기능
하이-사이드 및 로우-사이드 N채널 MOSFET 모두 구동
독립적인 하이- 및 로우-드라이버 로직 입력
최대 118V DC의 부트스트랩 공급 전압
빠른 전파 지연 시간 (일반적으로 25ns)
8ns 상승 및 하강 시간으로 1000pF 부하 구동
우수한 전파 지연 매칭 (일반적으로 3ns)
공급 레일 저전압 잠금
낮은 전력 소비
HIP2100/HIP2101과 핀 호환


응용 분야
전류 공급 푸시-풀 컨버터
하프 및 풀 브리지 전력 컨버터
동기식 벅 컨버터
2스위치 순방향 전력 컨버터
능동 클램프가 있는 순방향 컨버터


설명
LM5100A/B/C 및 LM5101A/B/C 고전압 게이트 드라이버는 동기식 벅 또는 하프 브리지 구성에서 하이-사이드 및 로우-사이드 N채널 MOSFET 모두를 구동하도록 설계되었습니다. 플로팅 하이-사이드 드라이버는 최대 100V의 공급 전압으로 작동할 수 있습니다. A 버전은 완전한 3A의 게이트 드라이브를 제공하며, B 및 C 버전은 각각 2A 및 1A를 제공합니다. 출력은 CMOS 입력 임계값(LM5100A/B/C) 또는 TTL 입력 임계값(LM5101A/B/C)으로 독립적으로 제어됩니다.
하이-사이드 게이트 드라이브 부트스트랩 커패시터를 충전하기 위해 통합된 고전압 다이오드가 제공됩니다. 견고한 레벨 시프터는 고속으로 작동하며 낮은 전력을 소비하고 제어 로직에서 하이-사이드 게이트 드라이버로 깨끗한 레벨 전환을 제공합니다. 저전압 잠금은 로우-사이드 및 하이-사이드 전력 레일 모두에 제공됩니다. 이 장치들은 표준 SOIC-8 핀, SO PowerPAD-8 핀 및 WSON-10 핀 패키지로 제공됩니다. LM5100C 및 LM5101C는 MSOP-PowerPAD-8 패키지로도 제공됩니다. LM5101A는 WSON-8 핀 패키지로도 제공됩니다.


LM5101AMX/NOPB TI 칩 LM5100A/B/C LM5101A/B/C 3-A 2-A 및 1-A 고전압 하이사이드 및 로우사이드 게이트 드라이버

LM5101AMX/NOPB TI 칩 LM5100A/B/C LM5101A/B/C 3-A 2-A 및 1-A 고전압 하이사이드 및 로우사이드 게이트 드라이버