logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป TI
Created with Pixso.

TPS259521DSGR TI ชิป TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V 4-A 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันเกินอย่างรวดเร็ว

TPS259521DSGR TI ชิป TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V 4-A 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันเกินอย่างรวดเร็ว

ชื่อแบรนด์: TI Chips
หมายเลขรุ่น: TPS259521DSGR
ขั้นต่ำ: 3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
TPS259521DSGR
ชื่อสินค้า:
ชิป TI
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
ขีด จำกัด ปัจจุบัน:
500 mA ถึง 4 A
การห่อหุ้ม:
รอก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 125 องศาเซลเซียส
สามารถในการผลิต:
1000000
เน้น:

TPS259521DSGR

,

TPS259521 TI ชิป

,

2.7V eFuse

รายละเอียดสินค้า

TI Chips TPS259521DSGR TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V, 4-A, 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินอย่างรวดเร็ว


คุณสมบัติ
ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง: 2.7 V ถึง 18 V
– 20 V สูงสุดแน่นอน
– 3 V ถึง 18 V สำหรับเวอร์ชัน TPS2595x5
• ความต้านทานต่ำ: RON = 34 mΩ (ทั่วไป)
• แคลมป์ป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินอย่างรวดเร็ว (3.8-V, 5.7-V,
และตัวเลือก 13.7-V) ด้วยเวลาตอบสนอง 5
µs (ทั่วไป)
• TPS2595x0, TPS2595x1, TPS2595x5: เปิดใช้งานแบบแอคทีฟสูง
อินพุตพร้อมการล็อคแรงดันไฟฟ้าต่ำที่ปรับได้
(UVLO)
• TPS2595x3: อินพุตเปิดใช้งานแบบแอคทีฟต่ำพร้อม
การล็อคแรงดันไฟฟ้าเกินที่ปรับได้ (OVLO)
• ขีดจำกัดกระแสที่ปรับได้พร้อมการตรวจสอบกระแสโหลด
เอาต์พุต (ILM)
– ช่วงกระแส: 0.5 A ถึง 4 A
– ความแม่นยำของขีดจำกัดกระแส: ±7.5%
• การควบคุมอัตราการเพิ่มขึ้นของเอาต์พุตที่ปรับได้ (dVdt)
• การป้องกันอุณหภูมิเกิน (OTP)
• พินแสดงสถานะข้อผิดพลาด (FLT )
• UL 2367 การรับรอง – หมายเลขไฟล์ E169910
– RILM >= 487 Ω (สูงสุด 4.42 A)
• IEC 62368-1 ได้รับการรับรอง
• ปลอดภัยระหว่างการทดสอบจุดล้มเหลวเดียว (IEC 62368-
1)
– การตรวจจับพิน ILM เปิด/ลัดวงจร

ตัวเก็บประจุภายนอกเพียงตัวเดียว เหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกิน
• Hot-Swap, Hot-Plug
• ระบบที่ใช้พลังงานจากอะแดปเตอร์
• เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชัน
• SSD และ HDD
• ระบบอุตสาหกรรม
• เครื่องใช้ในบ้าน
• Set-Top Box
• ทีวีดิจิทัล

คำอธิบาย
ตระกูล eFuses TPS2595xx (อุปกรณ์ hot swap FET ในตัว) เป็นวงจรรวมที่ได้รับการผสานรวมสูง
โซลูชันการป้องกันและการจัดการพลังงานในแพ็คเกจขนาดเล็ก
อุปกรณ์ให้โหมดการป้องกันหลายโหมดโดยใช้
ส่วนประกอบภายนอกน้อยมากและเป็นการป้องกันที่แข็งแกร่ง
ต่อการโอเวอร์โหลด, การลัดวงจร, แรงดันไฟฟ้ากระชาก, และกระแสไฟกระชากที่มากเกินไป
ระดับขีดจำกัดกระแสเอาต์พุตสามารถตั้งค่าได้ด้วย
ตัวต้านทานภายนอกเพียงตัวเดียว นอกจากนี้ยังสามารถรับค่าที่แม่นยำได้
การรับรู้กระแสโหลดเอาต์พุตโดยการวัด
แรงดันไฟฟ้า
ตก ผ่าน
ตัวต้านทาน ขีดจำกัดกระแส แอปพลิเคชัน โดยไม่มี ข้อกำหนดกระแสไฟกระชากโดยเฉพาะ สามารถตั้งค่าอัตราการเพิ่มขึ้นของเอาต์พุตด้วย ตัวเก็บประจุภายนอกเพียงตัวเดียว เหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกิน ในรุ่น TPS2595x5 โดยการเชื่อมต่อพิน OUT คงที่ สูงสุด
โดยไม่มี ส่วนประกอบภายนอก
จำเป็น
รุ่น TPS259573 มีตัวเลือก
ในการตั้งค่าเกณฑ์การตัดแรงดันไฟฟ้าเกินที่ผู้ใช้กำหนดได้ ฟังก์ชันการคายประจุเอาต์พุตอย่างรวดเร็วสามารถใช้งานได้ ในรุ่น TPS2595x5 โดยการเชื่อมต่อพิน OUT กับพิน QOD อุปกรณ์ได้รับการจำแนกประเภทสำหรับการทำงานในช่วง อุณหภูมิ –40°C ถึง +125°C

TPS259521DSGR TI ชิป TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V 4-A 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันเกินอย่างรวดเร็ว

TPS259521DSGR TI ชิป TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V 4-A 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันเกินอย่างรวดเร็ว
TPS259521DSGR TI ชิป TPS2595xx 2.7 V ถึง 18 V 4-A 34-mΩ eFuse พร้อมการป้องกันแรงดันเกินอย่างรวดเร็ว