รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

BQ24640RVAR TI ชิป bq24640 ตัวชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดแบบสวิตช์โหมดประสิทธิภาพสูง

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

BQ24640RVAR TI ชิป bq24640 ตัวชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดแบบสวิตช์โหมดประสิทธิภาพสูง

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	BQ24640RVAR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

BQ24640RVAR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:

5 โวลต์ถึง 28 โวลต์

กระแสไฟขาออก:

แรงดันขาออก:

ปรับได้

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

BQ24640RVAR

BQ24640 TI ชิป

ชิปประสิทธิภาพสูง TI

รายละเอียดสินค้า

TI Chips BQ24640RVAR bq24640 ตัวควบคุมการชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดแบบสวิตช์โหมดประสิทธิภาพสูง

คุณสมบัติ
ชาร์จแพ็คตัวเก็บประจุยิ่งยวดตั้งแต่ 2.1 V ถึง 26 V
โปรไฟล์การชาร์จ CC/CV ตั้งแต่ 0 V โดยไม่ต้องชาร์จล่วงหน้า
ตัวควบคุม Buck แบบซิงโครนัส NMOS-NMOS ความถี่ 600 kHz
ประสิทธิภาพมากกว่า 90% สำหรับกระแสชาร์จสูงสุด 10 A
ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุต VCC 5 V ถึง 28 V
ความแม่นยำ
– การควบคุมแรงดันไฟฟ้าชาร์จ ±0.5%
– การควบคุมกระแสชาร์จ ±3%
การรวมระบบสูง
– การชดเชยวงจรภายใน
– การสตาร์ทแบบนุ่มนวลแบบดิจิทัลภายใน
ความปลอดภัย
– การป้องกันแรงดันไฟฟ้าอินพุตเกิน
– การระงับการชาร์จเมื่อร้อนและเย็นจากการตรวจจับอุณหภูมิของตัวเก็บประจุ
– การปิดระบบเนื่องจากความร้อน
เอาต์พุตสถานะ
– อะแดปเตอร์พร้อมใช้งาน
– สถานะการทำงานของเครื่องชาร์จ
พินเปิดใช้งานการชาร์จ
เวลาหน่วงของไดรเวอร์ 30 ns และรอบการทำงานที่มีประสิทธิภาพสูงสุด 99.5%
โหมดสลีปอัตโนมัติสำหรับการใช้พลังงานต่ำ
– กระแสไฟคายประจุตัวเก็บประจุยิ่งยวดในสถานะปิดน้อยกว่า 15 µA
– กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายอินพุตในสถานะปิดน้อยกว่า 1.5 mA

แอปพลิเคชัน
ระบบสำรองหน่วยความจำ
ระบบ UPS อุตสาหกรรมและการบัฟเฟอร์การเปลี่ยนแปลงพลังงาน
พลังงานสะพานเพื่อบัฟเฟอร์แบตเตอรี่

คำอธิบาย
อุปกรณ์ bq24640 เป็นตัวควบคุมการชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดแบบสวิตช์โหมดที่มีการรวมระบบสูง อุปกรณ์นี้มีตัวควบคุม PWM แบบซิงโครนัสความถี่คงที่พร้อมกระแสชาร์จที่แม่นยำสูง การควบคุมแรงดันไฟฟ้า และการตรวจสอบสถานะการชาร์จ
bq24640 ชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดในสองเฟส: กระแสคงที่และแรงดันไฟฟ้าคงที่ (CC/CV) อุปกรณ์สามารถชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดตั้งแต่ 0 V โดยตั้งค่ากระแสบนพิน ISET เมื่อแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุยิ่งยวดถึงแรงดันเป้าหมายที่ตั้งโปรแกรมไว้ กระแสชาร์จจะเริ่มลดลง
bq24640 เข้าสู่โหมดสลีปกระแสต่ำ (<15 µA) เมื่อแรงดันไฟฟ้าอินพุตต่ำกว่าแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุเอาต์พุต
bq24640 มีพิน CE อินพุตเพื่อเปิดและปิดการชาร์จ และพินเอาต์พุต STAT และ PG จะรายงานสถานะอะแดปเตอร์และการชาร์จ พิน TS บน bq24640 จะตรวจสอบอุณหภูมิของตัวเก็บประจุและระงับการชาร์จในสภาวะร้อนและเย็น

แผนภาพอย่างง่าย

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

BQ24640RVAR TI ชิป bq24640 ตัวชาร์จตัวเก็บประจุยิ่งยวดแบบสวิตช์โหมดประสิทธิภาพสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI