Bộ điều khiển sạc siêu tụ điện hiệu suất cao TI Chips BQ24640RVAR bq24640
Tính năng Sạc gói siêu tụ điện từ 2,1 V đến 26 V Hồ sơ sạc CC/CV từ 0 V không cần tiền sạc Bộ điều khiển Buck đồng bộ NMOS-NMOS 600-kHz Hiệu suất trên 90% cho dòng sạc lên đến 10-A Dải điện áp đầu vào VCC từ 5 V đến 28 V Độ chính xác – Điều chỉnh điện áp sạc ±0,5% – Điều chỉnh dòng sạc ±3% Tích hợp cao – Bù vòng lặp bên trong – Khởi động mềm kỹ thuật số bên trong An toàn – Bảo vệ quá áp đầu vào – Tạm dừng sạc nóng và lạnh khi cảm biến nhiệt độ tụ điện – Tắt nhiệt Đầu ra trạng thái – Bộ chuyển đổi hiện diện – Trạng thái hoạt động bộ sạc Chân kích hoạt sạc Thời gian chết trình điều khiển 30-ns và chu kỳ nhiệm vụ hiệu dụng tối đa 99,5% Chế độ ngủ tự động để tiêu thụ điện năng thấp – Dòng xả siêu tụ điện ở trạng thái tắt <15-µA – Dòng tĩnh đầu vào ở trạng thái tắt <1,5-mA
Ứng dụng Hệ thống sao lưu bộ nhớ Hệ thống UPS công nghiệp và đệm quá độ nguồn Nguồn cầu để đệm pin
Mô tả Thiết bị bq24640 là bộ điều khiển sạc siêu tụ điện chế độ chuyển mạch tích hợp cao. Thiết bị cung cấp bộ điều khiển PWM đồng bộ tần số không đổi với độ chính xác cao về dòng sạc, điều chỉnh điện áp và giám sát trạng thái sạc. bq24640 sạc siêu tụ điện theo hai giai đoạn: dòng không đổi và điện áp không đổi (CC/CV). Thiết bị có thể sạc siêu tụ điện từ 0 V với dòng điện được đặt trên chân ISET. Khi điện áp siêu tụ điện đạt đến điện áp mục tiêu đã lập trình, dòng sạc bắt đầu giảm dần. bq24640 chuyển sang chế độ ngủ dòng điện thấp (<15 µA) khi điện áp đầu vào giảm xuống dưới điện áp tụ điện đầu ra. bq24640 có chân CE đầu vào để bật và tắt sạc, và các chân đầu ra STAT và PG báo cáo trạng thái bộ sạc và bộ chuyển đổi. Chân TS trên bq24640 giám sát nhiệt độ của tụ điện và tạm dừng sạc trong điều kiện nóng và lạnh.