รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

THS4520RGTR TI ชิปแว๊ดเบนด์ เสียงต่ํา ความสับสนต่ํา

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

THS4520RGTR TI ชิปแว๊ดเบนด์ เสียงต่ํา ความสับสนต่ํา

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	THS4520RGTR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

THS4520RGTR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

570 โวลต์/เรา

กระแสไฟในการทำงาน:

14.2 มิลลิแอมป์

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

THS4520RGTR

ชิป THS4520 TI

เครื่องขยายเสียงเสียงรบกวนต่ำ

รายละเอียดสินค้า

TI Chips THS4520RGTR WIDEBAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH RAIL-TO-RAIL

คุณสมบัติ

สถาปัตยกรรมแบบ Differential เต็มรูปแบบพร้อมเอาต์พุต Rail-to-Rail

ช่วง Common-mode อินพุตที่อยู่ตรงกลาง

อัตราขยายขั้นต่ำ 1 V/V (0 dB)

แบนด์วิดท์: 620 MHz

อัตราการสลู (Slew Rate): 570 V/μs

เวลาตั้งค่า 0.1%: 7 ns

HD₂: −115 dBc ที่ 100 kHz, Vₒᴰ = 8 Vₚₚ

HD₃: −123 dBc ที่ 100 kHz, Vₒᴰ = 8 Vₚₚ

แรงดันไฟฟ้าอินพุตนอยส์: 2 nV/√Hz (f >10 kHz)

การควบคุม Common-mode เอาต์พุต

แหล่งจ่ายไฟ:

– แรงดันไฟฟ้า: 3.3 V (±1.65 V) ถึง 5 V (±2.5 V)

– กระแสไฟฟ้า: 14.2 mA

ความสามารถในการปิดเครื่อง: 15 μA

การใช้งาน

ระบบการเก็บข้อมูล 5-V และ 3.3-V

แอมพลิฟายเออร์ ADC ที่มีความเป็นเชิงเส้นสูง

การสื่อสารไร้สาย

การทดสอบและการวัด

ระบบประมวลผลเสียง

คำอธิบาย

THS4520 เป็นแอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการแบบ Differential เต็มรูปแบบที่มีแบนด์วิดท์กว้าง ออกแบบมาสำหรับระบบการเก็บข้อมูล 5-V มีสัญญาณรบกวนต่ำมากที่ 2 nV/√Hz และความผิดเพี้ยนฮาร์มอนิกต่ำที่ −115 dBc HD₂ และ −123 dBc HD₃ ที่ 100 kHz ด้วย 8 VPP และโหลด 1-kΩ อัตราการสลูคือ 570 V/μs และมีเวลาตั้งค่า 7 ns ถึง 0.1% (การก้าว 2-V) เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานด้านการเก็บข้อมูล ได้รับการออกแบบมาเพื่อความเสถียรของอัตราขยายแบบ Unity

เพื่อให้สามารถเชื่อมต่อ DC กับ ADC ได้ วงจรควบคุม Common-mode เอาต์พุตที่เป็นเอกลักษณ์จะรักษาแรงดันไฟฟ้า Common-mode เอาต์พุตให้อยู่ภายในค่าเบี่ยงเบน 0.25 mV (ทั่วไป) จากแรงดันไฟฟ้าที่ตั้งไว้ จุดตั้งค่า Common-mode จะถูกตั้งค่าเริ่มต้นเป็นกึ่งกลางแหล่งจ่ายโดยวงจรภายใน ซึ่งอาจถูกโอเวอร์ไดรฟ์จากแหล่งภายนอกได้

อินพุตและเอาต์พุตได้รับการปรับให้เหมาะสมเพื่อประสิทธิภาพที่ดีที่สุดด้วยแรงดันไฟฟ้า Common-mode ที่ตั้งไว้ที่กึ่งกลางแหล่งจ่าย ควบคู่ไปกับประสิทธิภาพสูงที่แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายต่ำ ทำให้ระบบการเก็บข้อมูลแบบ Single Supply 5-V และ 3.3-V มีประสิทธิภาพสูงอย่างยิ่ง

THS4520 มีให้เลือกในแพ็คเกจ Quad 16-pin leadless QFN (RGT) และได้รับการจำแนกคุณลักษณะสำหรับการทำงานในช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมเต็มรูปแบบตั้งแต่ −40°C ถึง 85°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

THS4520RGTR TI ชิปแว๊ดเบนด์ เสียงต่ํา ความสับสนต่ํา

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI