Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

THS4520RGTR TI Чипы ШИРОКОПОЛОСНЫЙ НИЗКОШУМЯЩИЙ ПОЛНОСТЬЮ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С НИЗКИМИ ИСКАЖЕНИЯМИ И ВЫХОДОМ НА РЕЛЬСЫ

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

THS4520RGTR TI Чипы ШИРОКОПОЛОСНЫЙ НИЗКОШУМЯЩИЙ ПОЛНОСТЬЮ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С НИЗКИМИ ИСКАЖЕНИЯМИ И ВЫХОДОМ НА РЕЛЬСЫ

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	THS4520RGTR
минимальный заказ:	3000
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

THS4520RGTR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Степень скорости:

570 В/с

Рабочий ток источника питания:

14,2 мамы

Инкапсуляция:

Катушка

Поставка способности:

1000000

Выделить:

THS4520RGTR

THS4520 TI Чипы

Малошумящий усилитель

Описание продукта

TI Чипы THS4520RGTR ШИРОКОПОЛОСНЫЙ, НИЗКОШУМЯЩИЙ, НИЗКОИСКАЖАЮЩИЙ ПОЛНОСТЬЮ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С RAIL-TO-RAIL

ОСОБЕННОСТИ

Полностью дифференциальная архитектура с выходами Rail-to-Rail

Центрированный диапазон синфазного входного напряжения

Минимальный коэффициент усиления 1 В/В (0 дБ)

Полоса пропускания: 620 МГц

Скорость нарастания: 570 В/мкс

Время установления 0,1%: 7 нс

HD₂: −115 дБн при 100 кГц, Vₒᴰ = 8 Вₚₚ

HD₃: −123 дБн при 100 кГц, Vₒᴰ = 8 Вₚₚ

Входное напряжение шума: 2 нВ/√Гц (f >10 кГц)

Управление синфазным выходным напряжением

Источник питания:

– Напряжение: 3,3 В (±1,65 В) до 5 В (±2,5 В)

– Ток: 14,2 мА

Возможность отключения питания: 15 мкА

ПРИМЕНЕНИЕ

Системы сбора данных 5 В и 3,3 В

Высоколинейный усилитель АЦП

Беспроводная связь

Тестирование и измерения

Системы обработки голоса

ОПИСАНИЕ

THS4520 - это широкополосный, полностью дифференциальный операционный усилитель, разработанный для систем сбора данных на 5 В. Он имеет очень низкий уровень шума 2 нВ/√Гц и низкие гармонические искажения −115 дБн HD₂ и −123 дБн HD₃ при 100 кГц с нагрузкой 8 В пик-пик и 1 кОм. Скорость нарастания составляет 570 В/мкс, а время установления 7 нс до 0,1% (шаг 2 В) делает его идеальным для приложений сбора данных. Он разработан для стабильности при единичном усилении.

Чтобы обеспечить прямую связь с АЦП, его уникальная схема управления синфазным выходным напряжением поддерживает синфазное выходное напряжение в пределах смещения 0,25 мВ (типичное) от заданного напряжения. Точка установки синфазного напряжения по умолчанию устанавливается схемой внутри устройства на среднее напряжение питания, которое может быть переопределено внешним источником.

Вход и выход оптимизированы для лучшей производительности при установке синфазных напряжений на среднее напряжение питания. Наряду с высокой производительностью при низком напряжении питания, это обеспечивает чрезвычайно высокую производительность однополярных систем сбора данных на 5 В и 3,3 В.

THS4520 предлагается в корпусе Quad 16-pin leadless QFN (RGT) и характеризуется работой в полном промышленном диапазоне температур от −40°C до 85°C.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

THS4520RGTR TI Чипы ШИРОКОПОЛОСНЫЙ НИЗКОШУМЯЩИЙ ПОЛНОСТЬЮ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С НИЗКИМИ ИСКАЖЕНИЯМИ И ВЫХОДОМ НА РЕЛЬСЫ

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI