รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

UCC21222DR TI ชิป UCC21222 4A 6A 3kVRMS ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณคู่

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

UCC21222DR TI ชิป UCC21222 4A 6A 3kVRMS ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณคู่

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	UCC21222DR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

UCC21222DR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แรงดันไฟฟ้าฉนวน:

3 กิโลโวลต์

การกระจายพลังงาน:

950 มิลลิวัตต์

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

UCC21222DR

UCC21222 TI ชิป

ไดรเวอร์เกต 4A

รายละเอียดสินค้า

TI Chips UCC21222DR UCC21222 4A, 6A, 3kVRMS ไอโซเลท Dual-Channel Gate Driver

คุณสมบัติ

• อเนกประสงค์: dual low-side, dual high-side หรือ

ไดรเวอร์ halfbridge

• ช่วงอุณหภูมิรอยต่อ –40 ถึง +150°C

• กระแสเอาต์พุตสูงสุด 4A peak source และ 6A peak sink

• ความทนทานต่อสัญญาณรบกวนแบบโหมดร่วม (CMTI) มากกว่า

125V/ns

• แหล่งจ่ายไฟขับเอาต์พุต VDD สูงสุด 25V

– ตัวเลือก VDD UVLO 8V

• พารามิเตอร์การสลับ:

– ความหน่วงการแพร่กระจายทั่วไป 33ns

– ความผิดเพี้ยนของความกว้างพัลส์สูงสุด 5ns

– ความหน่วงการเปิดเครื่อง VDD สูงสุด 10µs

• การป้องกัน UVLO สำหรับแหล่งจ่ายไฟทั้งหมด

• การปิดใช้งานอย่างรวดเร็วสำหรับการจัดลำดับพลังงาน

• การรับรองที่เกี่ยวข้องกับความปลอดภัย (วางแผน):

– 4242VPK การแยกตาม DIN EN IEC 60747-17

(VDE 0884-17)

– 3000V การแยกเป็นเวลา 1 นาทีตาม UL 1577

– การรับรอง CQC ตาม GB4943.1-2022

การใช้งาน

• เครื่องชาร์จแบตเตอรี่ออนบอร์ด

• ตัวแปลง DC-DC แรงดันสูง

• ระบบปรับอากาศยานยนต์, ระบบอิเล็กทรอนิกส์ตัวถัง

คำอธิบาย

UCC21222 เป็นไดรเวอร์เกตแบบ dual channel แบบแยกพร้อม dead time ที่ตั้งโปรแกรมได้และช่วงอุณหภูมิที่กว้าง ออกแบบด้วยกระแส 4A peak-source และ 6A peak-sink เพื่อขับเคลื่อนทรานซิสเตอร์ MOSFET, SiC, GaN และ IGBT

UCC21222 สามารถกำหนดค่าเป็นไดรเวอร์ low-side สองตัว, ไดรเวอร์ high-side สองตัว หรือไดรเวอร์ half-bridge

ด้านอินพุตถูกแยกออกจากไดรเวอร์เอาต์พุตทั้งสองด้วยแผงกั้นการแยก 3kV

RMS

โดยมีความทนทานต่อสัญญาณรบกวนแบบโหมดร่วม (CMTI) อย่างน้อย

125V/ns

คุณสมบัติการป้องกันประกอบด้วย: dead time ที่ตั้งโปรแกรมได้ด้วยตัวต้านทาน, คุณสมบัติการปิดใช้งานเพื่อปิดเอาต์พุตทั้งสองพร้อมกัน และตัวกรอง de-glitch ในตัวที่ปฏิเสธสัญญาณรบกวนอินพุตที่สั้นกว่า 5ns แหล่งจ่ายไฟทั้งหมดมีระบบป้องกัน UVLO

ด้วยคุณสมบัติขั้นสูงทั้งหมดนี้ อุปกรณ์ UCC21222 ช่วยให้มีประสิทธิภาพสูง ความหนาแน่นพลังงานสูง และความทนทาน

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

UCC21222DR TI ชิป UCC21222 4A 6A 3kVRMS ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณคู่

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI