Name: UCC21222DR TI 칩 UCC21222 4A 6A 3kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: UCC21222DR
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	TI Chips
모델 번호:	UCC21222DR
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

문서:

ucc21222.pdf

모델:

UCC21222DR

제품명:

TI 칩

유형:

SMD/SMT

절연 전압:

3 KV

전력 소비:

950 mW

캡슐화:

릴

공급 능력:

1000000

강조하다:

UCC21222DR

UCC21222 TI 칩

4A 게이트 드라이버

제품 설명

TI 칩 UCC21222DR UCC21222 4A, 6A, 3kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버

기능

• 범용: 듀얼 로우사이드, 듀얼 하이사이드 또는

하프브리지 드라이버

• 접합 온도 범위 –40 ~ +150°C

• 최대 4A 피크 소스 및 6A 피크 싱크 출력

• 공통 모드 과도 내성(CMTI)

125V/ns 이상

• 최대 25V VDD 출력 구동 공급

– 8V, VDD UVLO 옵션

• 스위칭 파라미터:

– 33ns 일반적인 전파 지연

– 5ns 최대 펄스 폭 왜곡

– 10µs 최대 VDD 전원 켜짐 지연

• 모든 전원 공급 장치에 대한 UVLO 보호

• 전원 시퀀싱을 위한 빠른 비활성화

• 안전 관련 인증(예정):

– 4242VPK DIN EN IEC 60747-17에 따른 절연

(VDE 0884-17)

– UL 1577에 따라 1분 동안 3000V 절연 배리어로 두 출력 드라이버와 분리되며, 절연

– GB4943.1-2022에 따른 CQC 인증

응용 분야

• 온보드 배터리 충전기

• 고전압 DC-DC 컨버터

• 자동차 HVAC, 차체 전자 장치

설명

UCC21222는 프로그래밍 가능한 데드 타임과 넓은

온도 범위를 갖춘 절연 듀얼 채널 게이트

드라이버 제품군입니다. 4A 피크 소스

및 6A 피크 싱크 전류로 설계되어 전력 MOSFET,

SiC, GaN 및 IGBT 트랜지스터를 구동합니다.

UCC21222는 두 개의 로우사이드

드라이버, 두 개의 하이사이드 드라이버 또는 하프브리지 드라이버로 구성할 수 있습니다.

입력 측은 3kV

RMS 절연 배리어로 두 출력 드라이버와 분리되며, 최소

125V/ns 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 제공합니다.

보호 기능에는 저항으로 프로그래밍 가능한

데드 타임, 두 출력 동시 차단을 위한 비활성화 기능,

5ns보다 짧은 입력 과도 현상을 제거하는 통합 디글리치 필터가 포함됩니다. 모든 전원 공급 장치에는 UVLO 보호 기능이 있습니다.

이러한 모든 고급 기능을 통해 UCC21222

장치는 높은 효율성, 높은 전력 밀도 및 견고성을 제공합니다.

태그:

티 전력 관리 ic

티 모터 드라이버

티 ldo 레귤레이터

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