รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

LP5912-3.3DRVR TI Chips LP5912 500-mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา ระยะความแรงออก LDO: 0.8 V ถึง 5.5 V

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

LP5912-3.3DRVR TI Chips LP5912 500-mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา ระยะความแรงออก LDO: 0.8 V ถึง 5.5 V

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	LP5912-3.3DRVR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

LP5912-3.3DRVR

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

แรงดันขาออก:

3.3 V

กระแสไฟขาออก:

500 มิลลิแอมป์

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

LP5912-3.3DRVR

LP5912-3.3 ชิป TI

500mA Low-IQ LDO

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป LP5912-3.3DRVR LP5912 500-mA Low-Noise, Low-IQ LDO ช่วงแรงดันเอาต์พุต: 0.8 V ถึง 5.5 V

คุณสมบัติ

1คำอธิบาย ช่วงแรงดันอินพุต: 1.6 V ถึง 6.5 V

คำอธิบาย ช่วงแรงดันเอาต์พุต: 0.8 V ถึง 5.5 V

คำอธิบาย กระแสเอาต์พุตสูงสุด 500 mA

คำอธิบาย สัญญาณรบกวนเอาต์พุตต่ำ: 12 µVRMS ทั่วไป

คำอธิบาย PSRR ที่ 1 kHz: 75 dB ทั่วไป

คำอธิบาย ความคลาดเคลื่อนของแรงดันเอาต์พุต (VOUT ≥ 3.3 V): ±2%

คำอธิบาย IQ ต่ำ (เปิดใช้งาน, ไม่มีโหลด): 30 µA ทั่วไป

คำอธิบาย แรงดันตกคร่อมต่ำ (VOUT ≥ 3.3 V): 95 mV ทั่วไป ที่

โหลด 500 mA

คำอธิบาย เสถียรด้วยตัวเก็บประจุอินพุตและเอาต์พุตเซรามิก 1-µF

•

คำอธิบาย •

คำอธิบาย การใช้งาน

•

โมดูลกล้อง

คำอธิบาย เซ็นเซอร์

คำอธิบาย วิทยุรับส่งสัญญาณเสียง HiFi

คำอธิบาย PLL/Synthesizer, การสร้างสัญญาณนาฬิกา

คำอธิบาย การใช้งานที่ต้องการกระแสปานกลางและไวต่อสัญญาณรบกวน

คำอธิบาย LP5912 เป็น LDO สัญญาณรบกวนต่ำที่สามารถจ่ายกระแสเอาต์พุตได้สูงสุด

500 mA LP5912 ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของวงจร RF และอนาล็อก

อุปกรณ์ให้สัญญาณรบกวนต่ำ, PSRR สูง, กระแสควอเซนต์ต่ำ และการตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงของแรงดันและโหลดที่ต่ำ

LP5912 นำเสนอประสิทธิภาพสัญญาณรบกวนชั้นนำ

โดยไม่ต้องใช้ตัวเก็บประจุป้องกันสัญญาณรบกวน และมีความสามารถ

ในการวางตำแหน่งตัวเก็บประจุเอาต์พุตจากระยะไกล

อุปกรณ์ได้รับการออกแบบมาให้ทำงานร่วมกับตัวเก็บประจุอินพุต 1-µF และ

ตัวเก็บประจุเอาต์พุตเซรามิก 1-µF (ไม่ต้องใช้ตัวเก็บประจุป้องกันสัญญาณรบกวนแยกต่างหาก)

อุปกรณ์นี้มีให้เลือกพร้อมแรงดันเอาต์พุตคงที่

ตั้งแต่ 0.8 V ถึง 5.5 V โดยเพิ่มขึ้นทีละ 25 mV ติดต่อฝ่ายขายของ Texas

Instruments สำหรับความต้องการแรงดันไฟฟ้าเฉพาะ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

LP5912-3.3DRVR TI Chips LP5912 500-mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา ระยะความแรงออก LDO: 0.8 V ถึง 5.5 V

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI