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LP5912-3.3DRVR TI 칩 LP5912 500mA 저잡음 저-IQ LDO 출력 전압 범위: 0.8V ~ 5.5V

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LP5912-3.3DRVR TI 칩 LP5912 500mA 저잡음 저-IQ LDO 출력 전압 범위: 0.8V ~ 5.5V

브랜드 이름:	TI chips
모델 번호:	LP5912-3.3DRVR
MOQ:	3000
포장 세부사항:	3000pcs/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

LP5912-3.3DRVR

SMD/SMT

작동 온도:

- 40°C~+ 125°C

출력 전압:

출력 전류:

500mA

공급 능력:

1000000

강조하다:

LP5912-3.3DRVR

LP5912-3.3 TI 칩

500mA 저-IQ LDO

제품 설명

TI 칩 LP5912-3.3DRVR LP5912 500-mA 저잡음, 저IQ LDO 출력 전압 범위: 0.8 V ~ 5.5 V

기능

1LP5912는 최대 입력 전압 범위: 1.6 V ~ 6.5 V

LP5912는 최대 출력 전압 범위: 0.8 V ~ 5.5 V

LP5912는 최대 출력 전류 최대 500 mA

LP5912는 최대 낮은 출력 전압 잡음: 12 µVRMS 일반

LP5912는 최대 1 kHz에서 PSRR: 75 dB 일반

LP5912는 최대 출력 전압 허용 오차 (VOUT ≥ 3.3 V): ±2%

LP5912는 최대 낮은 IQ (활성화됨, 무부하): 30 µA 일반

LP5912는 최대 낮은 드롭아웃 (VOUT ≥ 3.3 V): 500-mA 부하에서 95 mV 일반

•

LP5912는 최대 •

열 과부하 및 단락 회로 보호

LP5912는 최대 역전류 보호

LP5912는 최대 노이즈 바이패스 커패시터 불필요

LP5912는 최대 빠른 턴오프를 위한 출력 자동 방전

LP5912는 최대 140-µs 일반 지연의 파워 굿 출력

LP5912는 최대 돌입 전류 제한을 위한 내부 소프트 스타트

LP5912는 최대 –40°C ~ +125°C 동작 접합 온도 범위

LP5912는 최대 •

카메라 모듈

•

LP5912는 최대 •

LP5912는 최대 설명

LP5912는 최대 500 mA의 출력 전류를 공급할 수 있는 저잡음 LDO입니다. RF 및 아날로그 회로의 요구 사항을 충족하도록 설계된 LP5912 장치는 낮은 잡음, 높은 PSRR, 낮은 무부하 전류, 낮은 라인 및 부하 과도 응답을 제공합니다. LP5912는 노이즈 바이패스 커패시터 없이도 업계 최고의 노이즈 성능을 제공하며 원격 출력 커패시터 배치가 가능합니다. 이 장치는 1-µF 입력 및 1-µF 출력 세라믹 커패시터와 함께 작동하도록 설계되었습니다(별도의 노이즈 바이패스 커패시터 불필요). 이 장치는 0.8 V ~ 5.5 V 범위의 고정 출력 전압으로 25 mV 단위로 제공됩니다. 특정 전압 옵션 요구 사항은 Texas Instruments 영업부에 문의하십시오.

태그:

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