logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป TI
Created with Pixso.

TXS0104ERGYR TI ชิป TXS0104E ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิตสำหรับแอปพลิเคชันแบบ Open Drain และ Push Pull

TXS0104ERGYR TI ชิป TXS0104E ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิตสำหรับแอปพลิเคชันแบบ Open Drain และ Push Pull

ชื่อแบรนด์: TI chips
หมายเลขรุ่น: TXS0104ERGYR
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
TXS0104ERGYR
ชื่อสินค้า:
ชิป TI
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส~+ 85 องศาเซลเซียส
อัตราข้อมูล:
50 เมกะไบต์/วินาที
เวลาล่าช้าในการขยายพันธุ์:
260 น
สามารถในการผลิต:
1000000
เน้น:

TXS0104ERGYR

,

TXS0104ERGYR TI ชิป

,

ตัวแปลงระดับ 4 บิต

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป TXS0104ERGYR TXS0104E ตัวแปลระดับแรงดันสองทิศทาง 4 บิตสำหรับแอปพลิเคชันแบบ Open-Drain และ Push-Pull


คุณสมบัติ
• ไม่ต้องใช้สัญญาณควบคุมทิศทาง
• อัตราข้อมูลสูงสุด:
– 24Mbps (push pull)
– 2Mbps (open drain) 
• 1.65 V ถึง 3.6 V ที่พอร์ต A และ 2.3 V ถึง 5.5 V ที่พอร์ต B
พอร์ต (Vสำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง ≤ VV ถึง 5.5 V. สิ่งนี้ช่วยให้สามารถแปลค่าแบบสองทิศทางที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ )
• ไม่จำเป็นต้องมีการจัดลำดับแหล่งจ่ายไฟ – Vสำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง หรือ
VV ถึง 5.5 V. สิ่งนี้ช่วยให้สามารถแปลค่าแบบสองทิศทางที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ สามารถเพิ่มขึ้นก่อนได้
• ประสิทธิภาพการ Latch-up เกิน 100 mA ต่อ JESD
78, คลาส II
• การป้องกัน ESD เกิน JESD 22:
– พอร์ต A:
• 2000-V Human-Body Model (A114-B)
• 200-V Machine Model (A115-A)
• 1000-V Charged-Device Model (C101)
– พอร์ต B:
• 15-kV Human-Body Model (A114-B)
• 200-V Machine Model (A115-A)
• 1000-V Charged-Device Model (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (พอร์ต B):
– ±8-kV contact discharge
– ±10-kV air-gap discharge

แอปพลิเคชัน 
• โทรศัพท์มือถือ
• สมาร์ทโฟน
• แท็บเล็ต
• คอมพิวเตอร์เดสก์ท็อป

คำอธิบาย
ตัวแปลแบบไม่กลับด้าน 4 บิตนี้ใช้
แหล่งจ่ายไฟที่กำหนดค่าได้สองแหล่งแยกกัน พอร์ต A ถูกออกแบบมาให้ติดตาม V
CCAสำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง รับแรงดันไฟฟ้าใดๆ ตั้งแต่ 2.3 สำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง CCA
ต้องน้อยกว่า สำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง CCB
. พอร์ต B ถูกออกแบบมาให้ V ถึง 5.5 V. สิ่งนี้ช่วยให้สามารถแปลค่าแบบสองทิศทางที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ CCB
. VV ถึง 5.5 V. สิ่งนี้ช่วยให้สามารถแปลค่าแบบสองทิศทางที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ รับแรงดันไฟฟ้าใดๆ ตั้งแต่ 2.3 V ถึง 5.5 V. สิ่งนี้ช่วยให้สามารถแปลค่าแบบสองทิศทางที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ ระหว่างโหนดแรงดันไฟฟ้า 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V และ
5-V ใดๆ
เมื่ออินพุตเปิดเอาต์พุต (OE) เป็นต่ำ เอาต์พุตทั้งหมด
จะอยู่ในสถานะความต้านทานสูง
TXS0104E ถูกออกแบบมาเพื่อให้วงจรอินพุต OE
ได้รับพลังงานจาก V
CCA
. สำหรับสถานะความต้านทานสูงระหว่างการเปิดเครื่อง หรือปิดเครื่อง ให้ผูก OE กับ GND ผ่านตัวต้านทาน pull-
down ค่าต่ำสุดของตัวต้านทานจะถูกกำหนดโดย
ความสามารถในการจ่ายกระแสของไดรเวอร์
TXS0104ERGYR TI ชิป TXS0104E ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิตสำหรับแอปพลิเคชันแบบ Open Drain และ Push Pull
TXS0104ERGYR TI ชิป TXS0104E ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิตสำหรับแอปพลิเคชันแบบ Open Drain และ Push Pull